WO2026031812 - ELECTRO-OPTIC MODULATOR, PHOTONIC INTEGRATED CHIP AND OPTICAL MODULE

National phase entry is expected:
Publication Number WO/2026/031812
Publication Date 12.02.2026
International Application No. PCT/CN2025/103364
International Filing Date 25.06.2025
Title **
[English] ELECTRO-OPTIC MODULATOR, PHOTONIC INTEGRATED CHIP AND OPTICAL MODULE
[French] MODULATEUR ÉLECTRO-OPTIQUE, PUCE PHOTONIQUE INTÉGRÉE ET MODULE OPTIQUE
[Chinese] 电光调制器、光子集成芯片和光模块
Applicants **
PICMORE TECHNOLOGY (SUZHOU) LTD.
PICMORE TECHNOLOGY PTE. LTD.
Inventors
JI, Mengxi
LI, Xianyao
Priority Data
202421932978.7   09.08.2024   CN
Application details
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译文

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Quotation for National Phase entry

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China Filing, Examination, Granting1692
EPO Filing, Examination, Granting11551
Japan Filing, Examination, Granting2122
South Korea Filing, Examination, Granting2066
USA Filing, Examination, Granting4740
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Abstract[English] An electro-optic modulator (100), a photonic integrated chip and an optical module. The electro-optic modulator (100) comprises a pair of modulation arms (10), wherein each modulation arm (10) comprises a ridge portion (11), and slab portions (12a, 12b) connected to two lateral sides of the ridge portion (11); each modulation arm (10) has a P-type region (15) and an N-type region (16) that are arranged side by side in a transverse direction, and a longitudinal PN junction (14) formed in the ridge portion (11); the height of the slab portions (12a, 12b) is within 1/3 of the height of the ridge portion (11); and the transverse width of the ridge portion (11) is 0.8-1.5 times the height thereof. Compared with conventional flat-structured ridge-type electro-optic modulation structures, the electro-optic modulator (100) can enable, by means of increasing the etching depth of the slab portions (12a, 12b), an optical signal to operate in a TM mode in the electro-optic modulator (100), such that the direction of an optical field is consistent with that of the PN junction, and the optical field has a high degree of overlap with a depletion region of the PN junction, thus improving the modulation efficiency of the electro-optic modulator (100).[French] L'invention concerne un modulateur électro-optique (100), une puce intégrée photonique et un module optique. Le modulateur électro-optique (100) comprend une paire de bras de modulation (10), chaque bras de modulation (10) comprenant une partie de crête (11), et des parties de dalle (12a, 12b) reliées à deux côtés latéraux de la partie de crête (11) ; chaque bras de modulation (10) présente une région de type P (15) et une région de type N (16) qui sont agencées côte à côte dans une direction transversale, et une jonction PN longitudinale (14) formée dans la partie de crête (11) ; la hauteur des parties de plaque (12a, 12b) est à 1/3 de la hauteur de la partie de crête (11) ; et la largeur transversale de la partie de crête (11) fait 0,8 à 1,5 fois la hauteur de celle-ci. Par comparaison avec des structures de modulation électro-optique de type à crête à structure plate classique, le modulateur électro-optique (100) peut permettre, au moyen d'une augmentation de la profondeur de gravure des parties de plaque (12a, 12b), un signal optique pour fonctionner dans un mode TM dans le modulateur électro-optique (100), de telle sorte que la direction d'un champ optique soit cohérente avec celle de la jonction PN, et que le champ optique présente un degré élevé de chevauchement avec une région d'appauvrissement de la jonction PN, ce qui permet d'améliorer l'efficacité de modulation du modulateur électro-optique (100).[Chinese] 一种电光调制器（100）、光子集成芯片和光模块。电光调制器（100）包括一对调制臂（10），每个调制臂（10）包括脊型部（11）和与脊型部（11）的横向两侧相连接的平板部（12a，12b）；调制臂（100）具有横向并排的P型区域（15）和N型区域（16），以及形成在脊型部（11）中的纵向PN结（14）；平板部（12a，12b）的高度为脊型部（11）的高度的1/3以内；且脊型部（11）的横向宽度是其高度的0.8~1.5倍。相较于常规的扁平式结构的脊型电光调制结构，电光调制器（100）通过加大平板部（12a，12b）的刻蚀深度，可以使光信号在电光调制器（100）内工作于TM模式，从而使得光场方向与PN结的方向相一致，光场和PN结耗尽区的重合度好，提高电光调制器（100）的调制效率。