IP-Coster | WO2026056256 | SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND INTEGRATED ASSEMBLY

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1807
EPO	Filing, Examination, Granting	13110
Japan	Filing, Examination, Granting	2247
South Korea	Filing, Examination, Granting	2336
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Provided in the embodiments of the present disclosure are a semiconductor structure and an integrated assembly. The semiconductor structure comprises: a first surface and a second surface that are opposite to each other; a first connection pad and a second connection pad that are arranged on the first surface; a third connection pad, a fourth connection pad and a fifth connection pad that are arranged on the second surface; and a memory cell region provided between the first surface and the second surface and containing a first connection part and, arranged in a first direction, a first semiconductor device and a second semiconductor device. The first connection pad and the fourth connection pad are connected to the first semiconductor device; the second connection pad and the fifth connection pad are connected to the second semiconductor device; the first connection part is connected to at least one of the first semiconductor device and the second semiconductor device; the first connection part is connected to the third connection pad. The semiconductor structure provided in the embodiments of the present disclosure has higher integration density.[French] Les modes de réalisation de la présente divulgation concernent une structure semi-conductrice et un ensemble intégré. La structure semi-conductrice comprend : une première surface et une seconde surface qui sont opposées l'une à l'autre ; un premier plot de connexion et un deuxième plot de connexion qui sont disposés sur la première surface ; un troisième plot de connexion, un quatrième plot de connexion et un cinquième plot de connexion qui sont disposés sur la seconde surface ; et une région de cellule de mémoire disposée entre la première surface et la seconde surface et contenant une première partie de connexion et, disposés dans une première direction, un premier dispositif à semi-conducteur et un second dispositif à semi-conducteur. Le premier plot de connexion et le quatrième plot de connexion sont connectés au premier dispositif à semi-conducteur ; le deuxième plot de connexion et le cinquième plot de connexion sont connectés au second dispositif à semi-conducteur ; la première partie de connexion est connectée au premier dispositif à semi-conducteur et/ou au second dispositif à semi-conducteur ; la première partie de connexion est connectée au troisième plot de connexion. La structure semi-conductrice selon les modes de réalisation de la présente divulgation présente une densité d'intégration supérieure.[Chinese] 本公开实施例提供了一种半导体结构以及集成组合件，半导体结构包括：相对的第一表面和第二表面；设置于第一表面的第一连接垫和第二连接垫，设置于第二表面的第三连接垫、第四连接垫和第五连接垫；设置在第一表面与第二表面之间的存储单元区域，包括沿第一方向排布的第一半导体器件和第二半导体器件以及第一连接部，第一连接垫和第四连接垫连接第一半导体器件，第二连接垫和第五连接垫连接第二半导体器件，第一连接部与第一半导体器件和第二半导体器件中的至少一个连接，第一连接部连接第三连接垫。本公开实施例提供的半导体结构具有更高的集成度。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2026056256 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND INTEGRATED ASSEMBLY

Quotation for National Phase entry

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