WO2026056254 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE
National phase entry:
Publication Number
WO/2026/056254
Publication Date
19.03.2026
International Application No.
PCT/CN2025/087718
International Filing Date
08.04.2025
Title **
[English]
SEMICONDUCTOR STRUCTURE
[French]
STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE
[Chinese]
半导体结构
Applicants **
CXMT CORPORATION
Inventors
BAI, Shijie
SHENG, Bohui
RAO, Depeng
Priority Data
202411267639.6
10.09.2024
CN
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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| Number of Office Actions | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| 译文 |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1692 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 11551 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2122 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2066 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
22,171
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Abstract[English]
Provided in the embodiments of the present disclosure is a semiconductor structure, comprising a plurality of rows of first word lines and a plurality of first conductive lines, wherein each first conductive line is arranged corresponding to and connected to a first word line of an odd-numbered or even-numbered row; a plurality of first conductive contacts are arranged corresponding to the first conductive lines, and a plurality of second conductive contacts are arranged corresponding to and isolated from the first conductive contacts; and the second conductive contacts are connected to first contact pads. The semiconductor structure in the embodiments of the present disclosure has a simpler interconnection manner, which simplifies the process flow while increasing the signal density.[French]
Les modes de réalisation de la présente divulgation concernent une structure semi-conductrice, comprenant une pluralité de colonnes de premières lignes de mots et une pluralité de premières lignes conductrices, chaque première ligne conductrice étant agencée de façon à correspondre à une première ligne de mots d'une colonne impaire ou paire et connectée à celle-ci ; une pluralité de premiers contacts conducteurs étant agencés de façon à correspondre aux premières lignes conductrices, et une pluralité de deuxièmes contacts conducteurs étant agencés de façon à correspondre aux premiers contacts conducteurs et étant isolés des premiers contacts conducteurs ; et les deuxièmes contacts conducteurs étant connectés à des premières plages de contact. La structure semi-conductrice dans les modes de réalisation de la présente divulgation présente un mode d'interconnexion plus simple, ce qui simplifie le flux de traitement tout en augmentant la densité de signal.[Chinese]
本公开实施例提供了一种半导体结构，包括多行第一字线和多条第一导电线，各第一导电线与奇数行或偶数行的各第一字线对应设置且彼此连接；多个第一导电触点与各第一导电线对应设置，多个第二导电触点与各第一导电触点对应设置且彼此隔离；各第二导电触点连接至各第一接触垫。本公开实施例的半导体结构具有更为简单的互连方式，在增加信号密度的同时，简化工艺流程。