WO2026137634 - ROUGHNESS OPTIMIZATION METHOD AND APPARATUS

National phase entry is expected:
Publication Number WO/2026/137634
Publication Date 02.07.2026
International Application No. PCT/CN2025/086757
International Filing Date 02.04.2025
Title **
[English] ROUGHNESS OPTIMIZATION METHOD AND APPARATUS
[French] PROCÉDÉ ET APPAREIL D'OPTIMISATION DE RUGOSITÉ
[Chinese] 粗糙度优化方法及装置
Applicants **
SHANGHAI CHUANXIN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Inventors
LIN, Yueming
Priority Data
202411946207.8   26.12.2024   CN
Application details
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译文

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Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting1586
EPO Filing, Examination, Granting11452
Japan Filing, Examination, Granting2059
South Korea Filing, Examination, Granting1848
USA Filing, Examination, Granting4740
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Abstract[English] A roughness optimization method and apparatus. The method comprises the following steps: providing a mask, and depositing a protective layer on the mask, such that the protective layer covers a light-transmitting region of the mask; depositing a first preset thickness of light-shielding material on a side wall of a light-shielding layer of the mask by means of atomic layer deposition, so as to at least partially fill pits on the side wall of the light-shielding layer and reduce the roughness of the side wall of the light-shielding layer; etching a second preset thickness of light-shielding material from the side wall of the light-shielding layer of the mask by means of atomic layer etching, so as to at least partially remove protrusions on the light-shielding layer and reduce the roughness of the side wall of the light-shielding layer; measuring the roughness of a surface of a light-shielding pattern, and comparing the measured roughness with a preset roughness set value; and when the measured roughness of the surface of the light-shielding pattern reaches the roughness set value, removing the protective layer. The present invention can effectively reduce the line edge roughness of a mask.[French] L'invention concerne un procédé et un appareil d'optimisation de rugosité. Le procédé consiste à : prendre un masque et déposer une couche de protection sur le masque de façon à ce qu'elle recouvre une région de transmission de lumière du masque ; déposer une première épaisseur prédéfinie de matériau de protection contre la lumière sur une paroi latérale d'une couche de protection contre la lumière du masque par dépôt de couche atomique, de façon à remplir au moins partiellement des creux sur la paroi latérale de la couche de protection contre la lumière et à réduire la rugosité de la paroi latérale de la couche de protection contre la lumière ; graver une seconde épaisseur prédéfinie de matériau de protection contre la lumière à partir de la paroi latérale de la couche de protection contre la lumière du masque par gravure de couche atomique, de façon à éliminer au moins partiellement des saillies sur la couche de protection contre la lumière et à réduire la rugosité de la paroi latérale de la couche de protection contre la lumière ; mesurer la rugosité d'une surface d'un motif de protection contre la lumière et comparer la rugosité mesurée à une valeur de consigne de rugosité prédéfinie ; et lorsque la rugosité mesurée de la surface du motif de protection contre la lumière atteint la valeur de consigne de rugosité, retirer la couche de protection. La présente invention peut réduire efficacement la rugosité de bord de ligne d'un masque.[Chinese] 一种粗糙度优化方法及装置，该方法包括以下步骤：提供掩模版，对掩模版沉积保护层，使保护层覆盖掩模版的透光区；通过原子层沉积对掩模版的遮光层的侧壁沉积第一预设厚度的遮光材料，以至少部分填充遮光层的侧壁上的凹坑，降低遮光层的侧壁的粗糙度；通过原子层刻蚀对掩模版的遮光层的侧壁蚀刻第二预设厚度的遮光材料，以至少部分去除遮光层上的凸起，降低遮光层的侧壁的粗糙度；检测遮光图案表面的粗糙度，将检测到的粗糙度与预设的粗糙度设定值进行比较；当检测到的遮光图案表面的粗糙度达到粗糙度设定值时，去除保护层。本发明可以有效降低掩模版的线边缘粗糙度。