WO2025218398 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

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Publication Number WO/2025/218398
Publication Date 23.10.2025
International Application No. PCT/CN2025/082244
International Filing Date 13.03.2025
Title **
[English] METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE
[French] PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEUR, ET STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEUR
[Chinese] 一种半导体结构的制造方法及其半导体结构
Applicants **
CXMT CORPORATION
Inventors
ZHANG, Qi
LIU, Liwan
LIU, Xiaotao
LIN, Yanbing
Priority Data
202410465795.7   17.04.2024   CN
Application details
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译文

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Quotation for National Phase entry

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EPO Filing, Examination, Granting11576
Japan Filing, Examination, Granting2155
South Korea Filing, Examination, Granting2137
USA Filing, Examination, Granting4740
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Abstract[English] A method for manufacturing a semiconductor structure, and a semiconductor structure. The method comprises: providing a substrate (1), wherein the substrate (1) is provided with an active pillar (11) and an isolation layer (12) arranged at intervals in a first direction (X), and both the active pillar (11) and the isolation layer (12) extend in a second direction (Y), the first direction (X) being parallel to a surface of the substrate (1), the second direction (Y) being parallel to the thickness direction of the substrate (1), and the second direction (Y) being perpendicular to the first direction (X); removing part of the isolation layer (12) to form a first recess (201); depositing a first dielectric layer (302) on at least a side wall of the first recess (201), so as to form a second recess (202); forming a first metal layer (401), the first metal layer (401) at least directly covering the active pillar (11); performing heat treatment to form a conductive structure (501), wherein the first dielectric layer (302) covers a side wall of the conductive structure (501), and the conductive structure (501) extends in a third direction (Z), the third direction (Z) being perpendicular to the first direction (X) and the second direction (Y); and forming a second dielectric layer (601), wherein the second dielectric layer fills the second recess (202).[French] Un procédé de préparation d'une structure à semi-conducteur, et une structure à semi-conducteur. Le procédé consiste à : fournir un substrat (1), le substrat (1) étant pourvu d'un pilier actif (11) et d'une couche d'isolation (12) agencée à des intervalles dans une première direction (X), et le pilier actif (11) et la couche d'isolation (12) s'étendant à la fois dans une deuxième direction (Y), la première direction (X) étant parallèle à une surface du substrat (1), la deuxième direction (Y) étant parallèle à la direction d'épaisseur du substrat (1), et la deuxième direction (Y) étant perpendiculaire à la première direction (X) ; retirer une partie de la couche d'isolation (12) pour former un premier évidement (201) ; déposer une première couche diélectrique (302) sur au moins une paroi latérale du premier évidement (201), de manière à former un second évidement (202) ; former une première couche métallique (401), la première couche métallique (401) recouvrant au moins directement le pilier actif (11) ; effectuer un traitement thermique pour former une structure conductrice (501), la première couche diélectrique (302) recouvrant une paroi latérale de la structure conductrice (501), et la structure conductrice (501) s'étendant dans une troisième direction (Z), la troisième direction (Z) étant perpendiculaire à la première direction (X) et à la deuxième direction (Y) ; et former une deuxième couche diélectrique (601), la deuxième couche diélectrique remplissant le second évidement (202).[Chinese] 一种半导体结构的制造方法及其半导体结构。方法包括：提供基底（1），基底（1）具有沿第一方向（X）间隔排布的有源柱（11）和隔离层（12），有源柱（11）和隔离层（12）均沿第二方向（Y）延伸，第一方向（X）平行于基底（1）表面，第二方向（Y）平行于基底（1）厚度方向，第二方向（Y）与第一方向（X）垂直；去除部分隔离层（12）以形成第一凹槽（201）；至少在第一凹槽（201）侧壁沉积第一介质层（302），以形成第二凹槽（202）；形成第一金属层（401），第一金属层（401）至少直接覆盖有源柱（11）；进行热处理以形成导电结构（501），第一介质层（302）覆盖导电结构（501）侧壁，导电结构（501）沿第三方向（Z）延伸，第三方向（Z）垂直于第一方向（X）和第二方向（Y）；形成第二介质层（601），第二介质层填充第二凹槽（202）。