IP-Coster | WO2025251723 | METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1743
EPO	Filing, Examination, Granting	11606
Japan	Filing, Examination, Granting	2155
South Korea	Filing, Examination, Granting	2137
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] A method for manufacturing a semiconductor structure, and a semiconductor structure. The method comprises: providing a substrate, wherein the substrate is provided with active pillars arranged at intervals in both a first direction and a second direction, the first direction and the second direction are both parallel to a surface of the substrate, the first direction is perpendicular to the second direction, a first dielectric layer is provided between active pillars, and the first dielectric layer is at least flush with the active pillars; forming word line structures, wherein the word line structures surround the active pillars and extend in the first direction, and a plurality of word line structures are arranged at intervals in the second direction; removing at least part of the first dielectric layers to form first openings; forming contact structures, wherein the contact structures at least partially fill the first openings; and forming capacitor structures, wherein the capacitor structures are electrically connected to the contact structures.[French] L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice, et une structure semi-conductrice. Le procédé consiste à : fournir un substrat, le substrat étant pourvu de piliers actifs disposés à des intervalles à la fois dans une première direction et dans une seconde direction, la première direction et la seconde direction étant toutes deux parallèles à une surface du substrat, la première direction étant perpendiculaire à la seconde direction, une première couche diélectrique étant disposée entre des piliers actifs, et la première couche diélectrique étant au moins au même niveau que les piliers actifs ; former des structures de lignes de mots, les structures de lignes de mots entourant les piliers actifs et s'étendant dans la première direction, et une pluralité de structures de lignes de mots étant agencées à des intervalles dans la seconde direction ; retirer au moins une partie des premières couches diélectriques pour former des premières ouvertures ; former des structures de contact, les structures de contact remplissant au moins partiellement les premières ouvertures; et former des structures de condensateur, les structures de condensateur étant électriquement connectées aux structures de contact.[Chinese] 一种半导体结构的制造方法及其半导体结构。方法包括：提供基底，基底具有沿第一方向和第二方向均间隔设置的有源柱，第一方向和第二方向均平行于基底的表面，第一方向和第二方向垂直，有源柱之间具有第一介质层，第一介质层至少与有源柱平齐；形成字线结构，字线结构环绕有源柱且沿第一方向延伸，多个字线结构沿第二方向间隔设置；至少去除部分第一介质层以形成第一开口；形成接触结构，接触结构至少部分填充第一开口；形成电容结构，电容结构与接触结构电连接。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2025251723 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Quotation for National Phase entry

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