WO2026107992 - SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PREPARATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

National phase entry:
Publication Number WO/2026/107992
Publication Date 28.05.2026
International Application No. PCT/CN2025/077781
International Filing Date 18.02.2025
Title **
[English] SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PREPARATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
[French] DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
[Chinese] 半导体器件和半导体器件的制备方法
Applicants **
CXMT CORPORATION
Inventors
CHEN, Wenjing
HUANG, Meng
WANG, Cheng
DONG, Haiyang
WU, Jiajia
WANG, Yanqin
Priority Data
202411669370.4   20.11.2024   CN
Application details
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Number of Pages with Drawings *
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Entry into National Phase under
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Patent Delivery
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译文

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Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting1692
EPO Filing, Examination, Granting11576
Japan Filing, Examination, Granting2124
South Korea Filing, Examination, Granting2071
USA Filing, Examination, Granting4740
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Total: 22,203
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Abstract[English] A semiconductor device, and a preparation method for a semiconductor device. The semiconductor device comprises: a word line, which extends in a direction perpendicular to a substrate; a plurality of channel layers, which surround the word line and have an annular horizontal cross-section surrounding the word line in a top view; a plurality of bit lines, which are arranged at one end of each of the plurality of channel layers in a first direction; a plurality of capacitors, which are arranged at the other end of each of the plurality of channel layers in the first direction, and have an annular horizontal cross-section in the top view, wherein the plurality of capacitors are spaced apart from each other in the direction perpendicular to the substrate; and a plurality of protective layers, which are arranged between every two adjacent capacitors in the direction perpendicular to the substrate, and are located at the ends of the plurality of capacitors close to the plurality of channel layers in the first direction. The impact of the thermal budget of a capacitor preparation process on channel layers can be avoided, thereby improving the density and performance of a three-dimensional memory.[French] Dispositif à semi-conducteur et procédé de préparation d'un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend : une ligne de mots, qui s'étend dans une direction perpendiculaire à un substrat ; une pluralité de couches de canal, qui entourent la ligne de mots et comportent une section transversale horizontale annulaire entourant la ligne de mots dans une vue de dessus ; une pluralité de lignes de bits, qui sont agencées à une extrémité de chaque couche de la pluralité de couches de canal dans une première direction ; une pluralité de condensateurs, qui sont agencés à l'autre extrémité de chaque couche de la pluralité de couches de canal dans la première direction, et comportent une section transversale horizontale annulaire dans la vue de dessus, la pluralité de condensateurs étant espacés les uns des autres dans la direction perpendiculaire au substrat ; et une pluralité de couches de protection, qui sont agencées entre chaque paire de condensateurs adjacents dans la direction perpendiculaire au substrat, et sont situées aux extrémités de la pluralité de condensateurs à proximité de la pluralité de couches de canal dans la première direction. L'impact du budget thermique d'un processus de préparation de condensateur sur des couches de canal peut être évité, ce qui permet d'améliorer la densité et les performances d'une mémoire tridimensionnelle.[Chinese] 一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括字线，字线在沿垂直于衬底的方向上延伸，多个沟道层，多个沟道层环绕字线，在俯视图中具有环绕所述字线的环形水平截面，多条位线，多条位线沿第一方向设置在多个沟道层中的每个的一端处，多个电容器，多个电容器沿第一方向设置在多个沟道层中的每个的另一端处，在俯视图中具有环形水平截面，多个电容器在沿垂直于衬底的方向上彼此隔开，多个保护层，多个保护层设置在沿垂直于衬底方向相邻的两个电容器之间，且位于所述多个电容器沿第一方向靠近所述多个沟道层的一端处，可以避免制备电容器工艺的热预算对沟道层的影响，提高三维存储器的密度和性能。