IP-Coster | WO2026091317 | SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1807
EPO	Filing, Examination, Granting	13110
Japan	Filing, Examination, Granting	2247
South Korea	Filing, Examination, Granting	2336
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] A semiconductor structure, a manufacturing method therefor, and an electronic device. The semiconductor structure comprises: active pillars, which extend in a vertical direction; word lines, which extend in a first horizontal direction and are coupled with the active pillars to form transistors; and bit lines, which extend in a second horizontal direction and are coupled to the active pillars, wherein the second horizontal direction intersects with the first horizontal direction. The word lines comprise first gate portions and second gate portions that cover sidewalls of the active pillars and are connected to each other, the first gate portions being located on at least one side of the active pillars in the first horizontal direction, the second gate portions being located on at least one side of the active pillars in the second horizontal direction, and the average size of the first gate portions in the vertical direction being different from the average size of the second gate portions in the vertical direction. The semiconductor structure can reduce leakage current caused by gate-induced drain leakage, thereby improving device performance.[French] L'invention concerne une structure semi-conductrice, son procédé de fabrication et un dispositif électronique. La structure semi-conductrice comprend : des piliers actifs qui s'étendent dans une direction verticale ; des lignes de mots, qui s'étendent dans une première direction horizontale et qui sont couplées aux piliers actifs pour former des transistors ; et des lignes de bits, qui s'étendent dans une seconde direction horizontale et qui sont couplées aux piliers actifs, la seconde direction horizontale croisant la première direction horizontale. Les lignes de mots comprennent des premières parties de grilles et des secondes parties de grilles qui couvrent les parois latérales des piliers actifs et sont connectées les unes aux autres, les premières parties de grilles étant situées sur au moins un côté des piliers actifs dans la première direction horizontale, les secondes parties de grilles étant situées sur au moins un côté des piliers actifs dans la seconde direction horizontale, et la taille moyenne des premières parties de grilles dans la direction verticale étant différente de la taille moyenne des secondes parties de grilles dans la direction verticale. La structure semi-conductrice peut réduire un courant de fuite provoqué par une fuite de drain induite par une grille, ce qui permet d'améliorer les performances du dispositif.[Chinese] 一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括：有源柱，沿垂直方向延伸；字线，沿第一水平方向延伸，且与有源柱耦合以形成晶体管；位线，沿第二水平方向延伸，且与有源柱耦接，其中，第二水平方向与第一水平方向相交；其中，字线包括覆盖有源柱的侧壁且彼此连接的第一栅极部和第二栅极部，第一栅极部位于有源柱在第一水平方向上的至少一侧，第二栅极部位于有源柱在第二水平方向上的至少一侧，第一栅极部在垂直方向上的平均尺寸不同于第二栅极部在垂直方向上的平均尺寸。该半导体结构可以降低栅诱导漏极泄露导致的漏电流，从而改善器件性能。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2026091317 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Quotation for National Phase entry

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