IP-Coster | WO2026040311 | MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1797
EPO	Filing, Examination, Granting	11816
Japan	Filing, Examination, Granting	2155
South Korea	Filing, Examination, Granting	2137
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] A memory and a manufacturing method therefor, and an electronic device. The memory comprises a first semiconductor structure, and the first semiconductor structure comprises an active pillar row, a word line, a data storage unit, and a first contact plug. The active pillar row comprises a plurality of active pillars extending in a first direction and arranged in a second direction, the plurality of active pillars comprise a first active pillar located in a first region and a second active pillar located in a second region, the second region is located on at least one side of the first region in the second direction, and the second direction is perpendicular to the first direction. The word line extends in the second direction in the first region and the second region and is coupled to the plurality of active pillars in the active pillar row. The data storage unit is located on a first side of the first active pillar in the first direction and is coupled to the first active pillar. The first contact plug is located in the second region and is coupled to the word line, and the orthographic projection of the first contact plug in the first direction overlaps the orthographic projection of the second active pillar in the first direction.[French] La présente invention concerne une mémoire et un procédé de fabrication associé, ainsi qu'un dispositif électronique. La mémoire comprend une première structure semi-conductrice, et la première structure semi-conductrice comprend une rangée de piliers actifs, une ligne de mots, une unité de stockage de données et une première fiche de contact. La rangée de piliers actifs comprend une pluralité de piliers actifs s'étendant dans une première direction et agencés dans une seconde direction, la pluralité de piliers actifs comprenant un premier pilier actif situé dans une première région et un second pilier actif situé dans une seconde région, la seconde région étant située sur au moins un côté de la première région dans la seconde direction, et la seconde direction étant perpendiculaire à la première direction. La ligne de mots s'étend dans la seconde direction dans la première région et la seconde région et est couplée à la pluralité de piliers actifs dans la rangée de piliers actifs. L'unité de stockage de données est située sur un premier côté du premier pilier actif dans la première direction et est couplée au premier pilier actif. La première fiche de contact est située dans la seconde région et est couplée à la ligne de mots, et la projection orthographique de la première fiche de contact dans la première direction chevauche la projection orthographique du second pilier actif dans la première direction.[Chinese] 一种存储器及其制造方法、电子设备。存储器包括第一半导体结构，第一半导体结构包括有源柱行、字线、数据存储单元、第一接触插塞。有源柱行包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个有源柱，该多个有源柱包括位于第一区域中的第一有源柱和位于第二区域中的第二有源柱，第二区域位于第一区域在第二方向上的至少一侧，第二方向垂直于第一方向；字线在第一区域和第二区域中沿第二方向延伸，且与有源柱行中的多个有源柱耦合；数据存储单元位于第一有源柱在第一方向上的第一侧且与第一有源柱耦接；第一接触插塞位于第二区域中且与字线耦接，第一接触插塞沿第一方向的正投影与第二有源柱沿第一方向的正投影交叠。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2026040311 - MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Quotation for National Phase entry

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