WO2025251488 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND THREE-DIMENSIONAL DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

National phase entry is expected:
Publication Number WO/2025/251488
Publication Date 11.12.2025
International Application No. PCT/CN2024/124341
International Filing Date 12.10.2024
Title **
[English] SEMICONDUCTOR DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND THREE-DIMENSIONAL DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
[French] DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION S'Y RAPPORTANT, ET MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE TRIDIMENSIONNELLE
[Chinese] 半导体器件及其制备方法、三维动态随机存储器
Applicants **
CXMT CORPORATION
Inventors
LI, Xiaojie
Priority Data
202410740576.5   07.06.2024   CN
Application details
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Patent Delivery
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译文

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Quotation for National Phase entry

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China Filing, Examination, Granting1775
EPO Filing, Examination, Granting11730
Japan Filing, Examination, Granting2154
South Korea Filing, Examination, Granting2132
USA Filing, Examination, Granting4740
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Abstract[English] A semiconductor device and a preparation method therefor, and a three-dimensional dynamic random access memory. The semiconductor device comprises: a substrate; a stacked structure arranged on the substrate, wherein the stacked structure comprises a support structure, and memory cells stacked in a first direction, each of the memory cells comprises a cylindrical first electrode extending in a second direction, the first electrode comprises a first end and a second end in the second direction, the first end is blind, the second end has an opening, the second end is connected to the support structure, the support structure comprises a first portion surrounding part of an outer surface of the first electrode, the first direction intersects the substrate, and the second direction is parallel to the substrate; and a first dielectric layer and a second electrode layer, wherein the first dielectric layer covers at least part of an inner surface of the first electrode, at least part of an outer surface between the first end and the second end, and at least part of the surface of the support structure, and the second electrode layer covers the first dielectric layer.[French] L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un procédé de préparation s'y rapportant, et une mémoire vive dynamique tridimensionnelle. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un substrat ; une structure empilée disposée sur le substrat, la structure empilée comprenant une structure de support, et des cellules de mémoire empilées dans une première direction, chacune des cellules de mémoire comprenant une première électrode cylindrique s'étendant dans une seconde direction, la première électrode comprenant une première extrémité et une seconde extrémité dans la seconde direction, la première extrémité étant borgne, la seconde extrémité ayant une ouverture, la seconde extrémité étant reliée à la structure de support, la structure de support comprenant une première partie entourant une partie d'une surface externe de la première électrode, la première direction croisant le substrat, et la seconde direction étant parallèle au substrat ; et une première couche diélectrique et une seconde couche d'électrode, la première couche diélectrique recouvrant au moins une partie d'une surface interne de la première électrode, au moins une partie d'une surface externe entre la première extrémité et la seconde extrémité, et au moins une partie de la surface de la structure de support, et la seconde couche d'électrode recouvrant la première couche diélectrique.[Chinese] 一种半导体器件及其制备方法、三维动态随机存储器，该半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括：支撑结构和沿第一方向堆叠设置的存储单元；存储单元包括沿第二方向延伸的筒状第一电极，第一电极沿第二方向包括第一端和第二端，第一端是盲口，第二端有开口，第二端与支撑结构连接，支撑结构包括环绕第一电极部分外表面的第一部，第一方向与衬底相交，第二方向平行于衬底；第一介电层和第二电极层，第一介电层包覆第一电极的至少部分内表面，第一端与第二端之间的至少部分外表面，和支撑结构的至少部分表面；第二电极层包覆第一介电层。