IP-Coster | WO2025227354 | HEMT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND RADIO FREQUENCY MODULE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1677
EPO	Filing, Examination, Granting	12061
Japan	Filing, Examination, Granting	2185
South Korea	Filing, Examination, Granting	2106
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] The present invention relates to the technical field of semiconductor manufacturing, and in particular to an HEMT device and a manufacturing method therefor, and a radio frequency module. The manufacturing method comprises: providing a substrate; growing an epitaxial structure on the substrate; depositing a passivation dielectric layer on the epitaxial structure; performing ion implantation from the surface of the epitaxial structure towards the substrate, so as to form an ion implantation region; forming, within the ion implantation region, a third trench extending to at least part of the epitaxial structure, wherein the area of the bottom of the third trench is greater than the area of the orthographic projection of the bottom of the third trench on the substrate, and the area of the orthographic projection of the ion implantation region on the substrate is greater than the area of the orthographic projection of the bottom of the third trench on the substrate; and depositing a metal layer on the third trench to form an ohmic contact. By means of said steps, the ohmic contact resistance is further reduced while ensuring excellent performance, and the electrical characteristics of an HEMT are improved.[French] La présente invention se rapporte au domaine technique de la fabrication de semi-conducteurs et, en particulier, à un dispositif HEMT et à son procédé de fabrication, et à un module radiofréquence. Le procédé de fabrication consiste : à fournir un substrat ; à faire croître une structure épitaxiale sur le substrat ; à déposer une couche diélectrique de passivation sur la structure épitaxiale ; à réaliser une implantation ionique à partir de la surface de la structure épitaxiale vers le substrat, de manière à former une région d'implantation ionique ; à former, dans la région d'implantation ionique, une troisième tranchée s'étendant jusqu'à au moins une partie de la structure épitaxiale, l'aire du fond de la troisième tranchée étant plus importante que l'aire de la projection orthographique du fond de la troisième tranchée sur le substrat, et l'aire de la projection orthographique de la région d'implantation ionique sur le substrat étant plus importante que l'aire de la projection orthographique du fond de la troisième tranchée sur le substrat ; et à déposer une couche métallique sur la troisième tranchée pour former un contact ohmique. Au moyen desdites étapes, la résistance de contact ohmique est davantage réduite tout en garantissant d'excellentes performances, et les caractéristiques électriques d'un HEMT sont améliorées.[Chinese] 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种HEMT器件及其制作方法和射频模组。制作方法包括提供一衬底；于衬底上生长外延结构；于外延结构上沉积钝化介质层；自外延结构表面向衬底方向进行离子注入以形成离子注入区；于离子注入区内形成延伸至至少部分外延结构的第三沟槽；第三沟槽底部的面积大于第三沟槽底部在衬底上的正投影面积；离子注入区在衬底上的正投影面积大于第三沟槽底部在衬底上的正投影面积；于第三沟槽上沉积金属层，形成欧姆接触。通过上述步骤，在保证优良性能的同时进一步降低欧姆接触电阻，提高HEMT的电学特性。

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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2025227354 - HEMT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND RADIO FREQUENCY MODULE

Quotation for National Phase entry

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