WO2025231087 - IMPROVED ENERGY ACCURACY FOR AN RF LINEAR ACCELERATOR ION IMPLANTATION SYSTEM
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/231087
Publication Date
06.11.2025
International Application No.
PCT/US2025/027012
International Filing Date
30.04.2025
Title **
[English]
IMPROVED ENERGY ACCURACY FOR AN RF LINEAR ACCELERATOR ION IMPLANTATION SYSTEM
[French]
PRÉCISION ÉNERGÉTIQUE AMÉLIORÉE POUR UN SYSTÈME D'IMPLANTATION IONIQUE À ACCÉLÉRATEUR LINÉAIRE RADIOFRÉQUENCE (RF)
Applicants **
AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
Inventors
SATOH, Shu
Priority Data
63/640,408
30.04.2024
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
| * | |
| Number of Office Actions | * |
| * | |
International Searching Authority |
EPO
* |
| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
* |
| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
* |
| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
* |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| Entry into National Phase under |
Chapter I
* |
| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
* |
| Translation |
|
* The data is based on automatic recognition. Please verify and amend if necessary.
** IP-Coster compiles data from publicly available sources. If this data includes your personal information, you can contact us to request its removal.
Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2191 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 10784 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2327 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2360 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
22,402
Contact Us
Abstract[English]
An ion implantation system (100) has an ion source (102) configured to form an ion beam (108) along a beam path (140). An accelerator (115) is downstream of the ion source and configured to accelerate the ion beam to a predetermined energy. An energy filter (118) is downstream of the accelerator and has an entrance (146) configured to accept the ion beam. A beam measurement device (150) can be positioned downstream of the accelerator along the beam path and is configured to determine an angular orientation of the ion beam. A controller (148) further controls one or more of the accelerator and final energy filter based on the angular orientation of the ion beam with respect to the entrance of the energy filter. The controller can control beam parameters of an energy filter formula based on the angular orientation of the ion beam, where the energy filter formula is based on a characterization of the energy filter.[French]
L'invention concerne un système d'implantation ionique (100) qui possède une source d'ions (102) conçue pour former un faisceau d'ions (108) le long d'un chemin de faisceau (140). Un accélérateur (115) est en aval de la source d'ions et conçu pour accélérer le faisceau d'ions jusqu'à une énergie prédéterminée. Un filtre d'énergie (118) est en aval de l'accélérateur et possède une entrée (146) conçue pour accepter le faisceau d'ions. Un dispositif de mesure de faisceau (150) peut être positionné en aval de l'accélérateur le long du chemin de faisceau et est configuré pour déterminer une orientation angulaire du faisceau d'ions. Un dispositif de commande (148) commande en outre l'un ou plusieurs parmi l'accélérateur et le filtre d'énergie finale sur la base de l'orientation angulaire du faisceau d'ions par rapport à l'entrée du filtre d'énergie. Le dispositif de commande peut commander des paramètres de faisceau d'une formule de filtre d'énergie sur la base de l'orientation angulaire du faisceau d'ions, la formule de filtre d'énergie étant basée sur une caractérisation du filtre d'énergie.