WO2025217342 - GRANULAR SPUTTER SOURCE TARGET WITH REPELLER CUP AND METHOD FOR USE THEREOF
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/217342
Publication Date
16.10.2025
International Application No.
PCT/US2025/023977
International Filing Date
09.04.2025
Title **
[English]
GRANULAR SPUTTER SOURCE TARGET WITH REPELLER CUP AND METHOD FOR USE THEREOF
[French]
CIBLE DE SOURCE DE PULVÉRISATION GRANULAIRE AVEC COUPELLE DE RÉPULSION ET SON PROCÉDÉ D'UTILISATION
Applicants **
AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
Inventors
ABESHAUS, Joshua
BASSOM, Neil
ERNI, Makita
GALICA, Scott
Priority Data
63/631,513
09.04.2024
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
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| Number of Office Actions | * |
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International Searching Authority |
EPO
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| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2080 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 9156 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2241 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2166 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
20,383
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Abstract[English]
The disclosure is generally directed to an ion implantation system and an ion source material associated therewith. More particularly, the present disclosure is directed to components for ion implantation system using an aluminum-based solid source material to produce ions for electrically doping silicon, silicon carbide, or other semiconductor substrates (i.e., wafer). The ion source material comprises a plurality of metal-containing ceramic granules, preferably ceramic granules coated with an aluminum composite. The disclosed embodiments may be used at temperatures ranging up to 1000° C. The disclosed principles minimize deposits on extraction electrodes and source chamber components when using a pre-mixed etchant gas.[French]
L'invention concerne de manière générale un système d'implantation ionique et un matériau de source d'ions associé à celui-ci. Plus particulièrement, la présente invention concerne des composants pour un système d'implantation ionique utilisant un matériau source solide à base d'aluminium pour produire des ions afin de doper électriquement du silicium, du carbure de silicium ou d'autres substrats semi-conducteurs (c'est-à-dire une tranche). Le matériau de source d'ions comprend une pluralité de granulés de céramique contenant du métal, de préférence des granulés de céramique revêtus d'un composite d'aluminium. Les modes de réalisation décrits peuvent être utilisés à des températures allant jusqu'à 1000°C. Les principes décrits réduisent au minimum les dépôts sur les électrodes d'extraction et les composants de chambre de source lors de l'utilisation d'un gaz de gravure pré-mélangé.