WO2023192100 - DUAL SOURCE INJECTOR WITH SWITCHABLE ANALYZING MAGNET
National phase entry:
Publication Number
WO/2023/192100
Publication Date
05.10.2023
International Application No.
PCT/US2023/016076
International Filing Date
23.03.2023
Title **
[English]
DUAL SOURCE INJECTOR WITH SWITCHABLE ANALYZING MAGNET
[French]
INJECTEUR À DOUBLE SOURCE AVEC AIMANT D'ANALYSE COMMUTABLE
Applicants **
AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
Inventors
PLATOW, Wilhelm
BASSOM, Neil
Priority Data
17/705,503
28.03.2022
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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| Number of Office Actions | * |
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International Searching Authority |
EPO
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| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2171 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 10688 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2315 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2366 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
22,280
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Abstract[English]
An ion implantation system has a mass analyzing magnet having interior and exterior region and defining a first entrance, second entrance, and an exit. A first ion source defines a first ion beam directed toward the first entrance along a first beam path. A second ion source defines a second ion beam directed toward the second entrance along a second beam path. A magnet current source supplies a magnet current to the mass analyzing magnet. Magnet control circuitry controls a polarity of the magnet current based on a formation of the first or second ion beam. The mass analyzing magnet mass analyzes the respective first or second ion beam to define defining a mass analyzed ion beam along a mass analyzed beam path. At least one shield in the interior or exterior region prevents line-of-sight between the first and second ion sources. Beamline components modify the mass analyzed ion beam.[French]
Un système d'implantation ionique présente un aimant d'analyse de masse présentant une région intérieure et extérieure et définissant une première entrée, une seconde entrée et une sortie. Une première source d'ions définit un premier faisceau d'ions dirigé vers la première entrée le long d'un premier trajet optique. Une seconde source d'ions définit un second faisceau d'ions dirigé vers la seconde entrée le long d'un second trajet optique. Une source de courant d'aimant fournit un courant d'aimant à l'aimant d'analyse de masse. Un ensemble circuit de commande d'aimant commande une polarité du courant d'aimant sur la base d'une formation du premier ou du second faisceau d'ions. L'aimant d'analyse de masse analyse en masse le premier ou le second faisceau d'ions respectif pour définir un faisceau d'ions analysé en masse le long d'un trajet optique analysé en masse. Au moins un blindage dans la région intérieure ou extérieure empêche la visibilité directe entre les première et seconde sources d'ions. Des composantes de ligne de faisceau modifient le faisceau d'ions analysé en masse.