WO2023237925 - ON-CHIP WIDE UV-VIS-NIR SPECTRAL SENSOR
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2023/237925
Publication Date
14.12.2023
International Application No.
PCT/IB2023/000319
International Filing Date
07.06.2023
Title **
[English]
ON-CHIP WIDE UV-VIS-NIR SPECTRAL SENSOR
[French]
CAPTEUR SPECTRAL UV-VIS-NIR LARGE SUR PUCE
Applicants **
SHENZHEN VISPEK TECH CO. LTD.
Inventors
LIU, Wei
CHEN, Jianjun
ZHANG, Han
WANG, Wengang
Priority Data
63/350,127
08.06.2022
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2132 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 17961 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2545 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2887 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 6140 |
Total:
31,665
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Abstract[English]
A spectral sensor that integrates a series of luminescent materials on a specially designed semiconductor substrate, providing full range spectral coverage from about 200 nm to about 1700 nm in wavelength (UVA-UVB-VIS-NIRI-NIRII). Components of this sensor solution include: an architecture on gold-coated ceramic substrate(101), a series of metal oxide emitters in the UV wavelength region (200-400nm) (107), a series of organic emitters in the visible wavelength region (400-800nm) (108), a series of organic emitters in the near-infrared wavelength region (800-1700nm) (109), a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) window (105) for UV-Vis detection (200-950nm), an Indium gallium arsenide (InGaAs) window (106) for NIR detection (950-1700nm), and a micro-circuit to control illumination/detection in time series with Fourier transform filtering to remove environmental noise and to isolate signals. The highly compact integrated sensor provides fast, stable, and reproducible spectral array data that covers the full wavelength range from about 200 to about 1700 nm.[French]
Capteur spectral qui intègre une série de matériaux luminescents sur un substrat semi-conducteur spécialement conçu, fournissant une couverture spectrale pleine gamme d'environ 200 nm à environ 1 700 nm en longueur d'onde (UVA-UVB-VIS-NIRI-NIRII). Les composants de cette solution de détection comprennent : une architecture de substrat en céramique revêtu d'or (101), une série d'émetteurs d'oxyde métallique dans la région de longueur d'onde UV (200 à 400 nm) (107), une série d'émetteurs organiques dans la région de longueur d'onde visible (400 à 800 nm) (108), une série d'émetteurs organiques dans la région de longueur d'onde proche infrarouge (800 à 1 700 nm) (109), une fenêtre complémentaire d'oxyde métallique semi-conducteur (CMOS) (105) pour la détection UV-Vis (200 à 950 nm), une fenêtre d'arséniure d'indium et de gallium (InGaAs) (106) pour la détection NIR (950 à 1 700 nm), et un microcircuit pour commander l'éclairage / la détection en série chronologique avec un filtrage de transformée de Fourier pour éliminer le bruit environnemental et pour isoler des signaux. Le capteur intégré hautement compact fournit des données de réseau spectral rapides, stables et reproductibles qui couvrent la plage de longueur d'onde complète d'environ 200 à environ 1 700 nm.