WO2026041579 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TECHNISCHEN HALBLEITERSUBSTRATS UND TECHNISCHES HALBLEITERSUBSTRAT
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2026/041579
Publication Date
26.02.2026
International Application No.
PCT/EP2025/073529
International Filing Date
18.08.2025
Title **
[German]
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TECHNISCHEN HALBLEITERSUBSTRATS UND TECHNISCHES HALBLEITERSUBSTRAT
[English]
METHOD FOR PRODUCING A TECHNICAL SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND TECHNICAL SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
[French]
PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR TECHNIQUE, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR TECHNIQUE
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
HEYERS, Klaus
SCHOSER, Siegmar
NUFER, Stefan
BARINGHAUS, Jens
Priority Data
102024207891.3
20.08.2024
DE
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
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EPO
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1879 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8159 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2015 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1743 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
18,536
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Abstract[German]
Verfahren (100) zum Herstellen eines technischen Halbleitersubstrats mit den Schritten Bereitstellen (110) eines Pulvergemischs umfassend ein Halbleiterpulver mit einem ersten Wärmeausdehnungskoeffizienten und ein Additiv mit einem zweiten Wärmeausdehnungskoeffizienten, wobei der zweite Wärmeausdehnungskoeffizient größer ist als der erste Wärmeausdehnungskoeffizient, Herstellen (120) eines polykristallinen Halbleitersubstrats aus dem Pulvergemisch mittels Sinterns, wobei das polykristalline Halbleitersubstrat einen dritten Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der größer ist als der erste Wärmeausdehnungskoeffizient, und Aufbringen (130) einer monokristallinen Halbleiterschicht auf das polykristalline Halbleitersubstrat mittels Bondens.[English]
The invention relates to a method (100) for producing a technical semiconductor substrate, comprising the steps of providing (110) a powder mixture comprising a semiconductor powder having a first coefficient of thermal expansion and an additive having a second coefficient of thermal expansion, wherein the second coefficient of thermal expansion is greater than the first coefficient of thermal expansion, producing (120) a polycrystalline semiconductor substrate from the powder mixture by means of sintering, wherein the polycrystalline semiconductor substrate has a third coefficient of thermal expansion which is greater than the first coefficient of thermal expansion, and applying (130) a monocrystalline semiconductor layer to the polycrystalline semiconductor substrate by means of bonding.[French]
L'invention concerne un procédé (100) de production de substrat semi-conducteur technique, le procédé consistant à prendre (110) un mélange pulvérulent comprenant une poudre semi-conductrice ayant un premier coefficient de dilatation thermique et un additif ayant un deuxième coefficient de dilatation thermique, le deuxième coefficient de dilatation thermique étant supérieur au premier coefficient de dilatation thermique, à produire (120) un substrat semi-conducteur polycristallin par frittage à partir du mélange pulvérulent, le substrat semi-conducteur polycristallin ayant un troisième coefficient de dilatation thermique qui est supérieur au premier coefficient de dilatation thermique, et à appliquer (130) une couche semi-conductrice monocristalline sur le substrat semi-conducteur polycristallin par liaison.