WO2026021835 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UND HALBLEITERBAUELEMENT
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2026/021835
Publication Date
29.01.2026
International Application No.
PCT/EP2025/069282
International Filing Date
07.07.2025
Title **
[German]
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UND HALBLEITERBAUELEMENT
[English]
METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
[French]
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
HUBER, Christian
DANNECKER, Kevin
REGENSBURGER, Stefan
BARINGHAUS, Jens
Priority Data
102024206949.3
24.07.2024
DE
Application details
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EPO
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Change of Applicant's Name and Address
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The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1990 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8300 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2076 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1865 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
18,971
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Abstract[German]
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), insbesondere eines Transistors, das auf Gallium-Nitrid basiert, umfassend folgende Schritte: Bereitstellen einer Substrat- und/oder Drain-Schicht (11) und einer auf der Substrat- und/oder Drain-Schicht (11) aufgebrachten erster Art dotierte Schicht, die eine erster Art dotierte Drift-Schicht (12) umfasst, Aufbringen (210) einer Quellschicht (20), die insbesondere Magnesium aufweist, in einem freien Bereich; Ausbilden eines zweiter Art dotierten Abschirmbereichs (13), mittels Eindiffusion aus der Quellschicht (20), derart, dass der Abschirmbereich in vertikaler Richtung zumindest teilweise auf Höhe einer Kanal-Schicht (14) und vertikal unter dem freien Bereich gelegenen ist, wobei die Kanal-Schicht in vertikaler Richtung zwischen der Source-Schicht und der Drift-Schicht angeordnet ist; und Entfernen der Quellschicht, sodass der freie Bereich als Gate-Bereich verwendbar ist. Die Erfindung betrifft auch ein Halbleiterbauelement (100).[English]
The invention relates to a method for producing a gallium-nitride-based semiconductor component (100), in particular a transistor, comprising the following steps: providing a substrate and/or drain layer (11) and a layer which is applied to the substrate and/or drain layer (11), is doped in a first way and comprises a drift layer (12) that is doped in a first way; applying (210) a source layer (20), which comprises in particular magnesium, in a free region; forming a shielding region (13), which is doped in a second way, by means of diffusion from the source layer (20) such that, when viewed in a vertical direction, the shielding region is located at least partially at the level of a channel layer (14) and vertically below the free region, wherein, when viewed in the vertical direction, the channel layer is arranged between the source layer and the drift layer; and removing the source layer such that the free region can be used as a gate region. The invention also relates to a semiconductor component (100).[French]
L'invention concerne un procédé de production d'un composant semi-conducteur à base de nitrure de gallium (100), en particulier un transistor, comprenant les étapes suivantes consistant à : fournir une couche de substrat et/ou de drain (11) et une couche qui est appliquée sur la couche de substrat et/ou de drain (11), est dopée d'une première manière et comprend une couche de dérive (12) qui est dopée d'une première manière ; appliquer (210) une couche de source (20), qui comprend en particulier du magnésium, dans une région libre ; former une région de blindage (13), qui est dopée d'une seconde manière, au moyen d'une diffusion à partir de la couche de source (20) de telle sorte que, lorsqu'elle est vue dans une direction verticale, la région de blindage est située au moins partiellement au niveau d'une couche de canal (14) et verticalement au-dessous de la région libre, lorsqu'elle est vue dans la direction verticale, la couche de canal étant disposée entre la couche de source et la couche de dérive ; et éliminer la couche de source de telle sorte que la région libre peut être utilisée en tant que région de grille. L'invention concerne également un composant semi-conducteur (100).