WO2025237819 - MAGNETSENSORVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE MAGNETSENSORVORRICHTUNG

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Publication Number WO/2025/237819
Publication Date 20.11.2025
International Application No. PCT/EP2025/062683
International Filing Date 09.05.2025
Title **
[German] MAGNETSENSORVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE MAGNETSENSORVORRICHTUNG
[English] MAGNETIC SENSOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A MAGNETIC SENSOR DEVICE
[French] SYSTÈME DE CAPTEUR MAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SYSTÈME DE CAPTEUR MAGNÉTIQUE
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
SLOGSNAT, David
DE SANDRE, Guido
MATHER, Phillip
Priority Data
102024204608.6   17.05.2024   DE
102025117748.1   08.05.2025   DE
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Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting2060
EPO Filing, Examination, Granting8434
Japan Filing, Examination, Granting2078
South Korea Filing, Examination, Granting1903
USA Filing, Examination, Granting4740
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Total: 19,215
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Abstract[German] Die vorliegende Erfindung betrifft eine Magnetsensorvorrichtung mit einem einstückigen Halbleitersubstrat (10), einer ersten Sensoreinrichtung (12), welche mindestens eine erste magnetoresistive Messbrücke mit mindestens einem in das einstückige Halbleitersubstrat (10) monolithisch integrierten ersten magnetoresistiven Element (12b) umfasst, und mittels welcher zumindest eine erste Messgröße innerhalb eines an der ersten Sensoreinrichtung (12) baulich festgelegten ersten Wertebereichs bestimmbar ist, und einer zweiten Sensoreinrichtung (14), welche mindestens einen Halbleiterbereich (14b) umfasst und mittels welcher zumindest eine zweite Messgröße innerhalb eines an der zweiten Sensoreinrichtung (14) baulich festgelegten und sich mit dem ersten Wertebereich überschneidenden zweiten Wertebereichs bestimmbar ist, wobei der mindestens eine Halbleiterbereich (14b) der zweiten Sensoreinrichtung (14) zusammen mit zumindest dem mindestens einen ersten magnetoresistiven Element (12b) in das einstückige Halbleitersubstrat (10) monolithisch integriert ist. Ebenso betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für eine Magnetsensorvorrichtung.[English] The invention relates to a magnetic sensor device comprising a one-piece semiconductor substrate (10); a first sensor device (12) which comprises at least one first magnetoresistive measuring bridge with at least one first magnetoresistive element (12b) monolithically integrated into the one-piece semiconductor substrate (10) and by means of which at least one first measurement variable can be determined within a first value range structurally defined on the first sensor device (12); and a second sensor device (14) which comprises at least one semiconductor region (14b) and by means of which at least one second measurement variable can be determined within a second value range structurally defined on the second sensor device (14) and overlapping with the first value range, said at least one semiconductor region (14b) of the second sensor device (14), together with the at least one first magnetoresistive element (12b), being monolithically integrated into the one-piece semiconductor substrate (10). The invention likewise relates to a method for producing a magnetic sensor device.[French] La présente invention concerne un système de capteur magnétique comportant un substrat semi-conducteur (10) monobloc, un premier dispositif capteur (12), qui comprend au moins un premier pont de mesure magnétorésistif pourvu d'au moins un premier élément magnétorésistif (12b) intégré de manière monolithique dans le substrat semi-conducteur (10) monobloc, et au moyen duquel au moins une première grandeur de mesure peut être déterminée à l'intérieur d'une première plage de valeurs définie structurellement au niveau du premier dispositif capteur (12), et un second dispositif capteur (14), qui comprend au moins une zone semi-conductrice (14b), et au moyen duquel au moins une deuxième grandeur de mesure peut être déterminée à l'intérieur d'une seconde plage de valeurs qui est définie structurellement au niveau du second dispositif capteur (14) et qui recoupe la première plage de valeurs, ladite au moins une zone semi-conductrice (14b) du second dispositif capteur (14) étant intégrée de manière monolithique dans le substrat semi-conducteur (10) monobloc conjointement avec au moins ledit au moins un premier élément magnétorésistif (12b). L'invention concerne également un procédé de fabrication d’un système de capteur magnétique.

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