WO2025233211 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER STRUKTUR IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/233211
Publication Date
13.11.2025
International Application No.
PCT/EP2025/061918
International Filing Date
30.04.2025
Title **
[German]
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER STRUKTUR IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT
[English]
METHOD FOR PRODUCING A STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
[French]
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
ENGELHART, Peter
MELNIKOV, Anton
FETZER, Florian
Priority Data
102024204316.8
08.05.2024
DE
Application details
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EPO
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 3184 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 32375 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 3400 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 4537 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 13540 |
Total:
57,036
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Abstract[German]
Verfahren zum Herstellen einer Struktur in einem Halbleitersubstrat, umfassend die folgenden Schritte: S1 - Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das ein Halbleitermaterial umfasst, das Halbleitersubstrat aufweisend eine erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entlang einer Dickenrichtung des Substrats gegenüberliegende zweite Oberfläche; S2 - Bereitstellen eines elektrolytischen Ätzmediums an der ersten Oberfläche; S3 - Anordnen zumindest einer Ladungsträgerquelle an der zweiten Oberfläche; S4 - Anordnen zumindest einer elektrisch leitfähigen oberflächennahen Schicht in zumindest einem Bereich der ersten Oberfläche und/oder der zweiten Oberfläche; S5 - Anlegen eines ersten elektrischen Potentials an dem elektrolytischen Ätzmedium, eines zweiten elektrischen Potentials an der zumindest einen Ladungsträgerquelle, und zumindest eines dritten elektrischen Potentials an der zumindest einen oberflächennahen Schicht, derart, dass ausgehend von der ersten Oberfläche ein elektrochemischer Ätzvorgang in dem Halbleitersubstrat entlang von in dem Halbleitersubstrat ausgebildeten elektrischen Feldlinien erfolgt.[English]
The invention relates to a method for producing a structure in a semiconductor substrate, comprising the following steps: S1 - providing a semiconductor substrate comprising a semiconductor material, the semiconductor substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface in a thickness direction of the substrate; S2 - providing an electrolytic etching medium on the first surface; S3 - arranging at least one charge carrier source on the second surface; S4 - arranging at least one electrically conductive layer close to the surface in at least one region of the first surface and/or the second surface; S5 - applying a first electrical potential to the electrolytic etching medium, a second electrical potential to the at least one charge carrier source, and at least one third electrical potential to the at least one layer close to the surface in such a way that, starting from the first surface, an electrochemical etching process takes place in the semiconductor substrate along electrical field lines formed in the semiconductor substrate.[French]
L'invention concerne un procédé de production d'une structure dans un substrat semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes : S1 - fournir un substrat semi-conducteur comprenant un matériau semi-conducteur, le substrat semi-conducteur ayant une première surface et une seconde surface opposée à la première surface dans une direction d'épaisseur du substrat ; S2 - fournir un milieu de gravure électrolytique sur la première surface ; S3 - agencer au moins une source de support de charge sur la seconde surface ; S4 - agencer au moins une couche électriquement conductrice à proximité de la surface dans au moins une région de la première surface et/ou de la seconde surface ; S5 - appliquer un premier potentiel électrique au milieu de gravure électrolytique, un deuxième potentiel électrique à ladite au moins une source de support de charge, et au moins un troisième potentiel électrique à ladite au moins une couche proche de la surface de telle sorte que, en partant de la première surface, un processus de gravure électrochimique a lieu dans le substrat semi-conducteur le long de lignes de champ électrique formées dans le substrat semi-conducteur.