WO2025233058 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUTEILS

National phase entry is expected:
Publication Number WO/2025/233058
Publication Date 13.11.2025
International Application No. PCT/EP2025/058792
International Filing Date 01.04.2025
Title **
[German] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUTEILS
[English] METHOD FOR PRODUCING A MICROELECTROMECHANICAL COMPONENT
[French] PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT MICROÉLECTROMÉCANIQUE
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
BRKIC, Majk
Priority Data
102024204181.5   06.05.2024   DE
Application details
Total Number of Claims/PCT *
Number of Independent Claims *
Number of Priorities *
Number of Multi-Dependent Claims *
Number of Drawings *
Pages for Publication *
Number of Pages with Drawings *
Pages of Specification *
*
Number of Office Actions *
*
International Searching Authority
*
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address
*
Type of Assignment
*
Applicant's Legal Status
*
*
*
*
*
*
Entry into National Phase under
*
Patent Delivery
*
Translation

* The data is based on automatic recognition. Please verify and amend if necessary.

** IP-Coster compiles data from publicly available sources. If this data includes your personal information, you can contact us to request its removal.

Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting1907
EPO Filing, Examination, Granting8133
Japan Filing, Examination, Granting2053
South Korea Filing, Examination, Granting1798
USA Filing, Examination, Granting4740
MasterCard Visa
Total: 18,631
Contact Us
Abstract[German] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Bauteils (140a, 140b). Hierbei wird zunächst eine, insbesondere temporäre, Bondingschicht (100) auf eine Vorderseite eines Trägerwafers (110) aufgebracht. Weiterhin wird eine Lichtreflektionsschicht (120) auf die Bondingschicht (100) aufgebracht. Hierbei werden die Bondingschicht (100) und die Lichtreflektionsschicht (120), insbesondere temporär, miteinander verbunden. Weiterhin wird die Lichtreflektionsschicht (120) mit einer, auf oder in einer äußeren Oberfläche eines weiteren Wafers (130) angeordneten Spiegelplatte (135a, 135b) verbunden. Darüber hinaus wird eine Rückseite (111) des Trägerwafers (110) mittels Lichtstrahlen (150) in einem infraroten Wellenlängenbereich bestrahlt, sodass sich die Bondingschicht (100) auf der Vorderseite des Trägerwafers (110) zumindest teilweise ganzflächig von der Lichtreflektionsschicht (120) löst. Weiterhin wird ein mikroelektromechanisches Bauteil (140a, 140b), insbesondere ein Mikrospiegel, aus dem weiteren Wafer (130) herausstrukturiert.[English] The invention relates to a method for producing a microelectromechanical component (140a, 140b). A bonding layer (100), in particular a temporary bonding layer, is first applied to a front side of a carrier wafer (110). Then, a light reflecting layer (120) is applied to the bonding layer (100). In this case, the bonding layer (100) and the light reflecting layer (120) are connected to one another, in particular temporarily. Then, the light reflecting layer (120) is connected to a mirror plate (135a, 135b) arranged on or in an outer surface of a further wafer (130). In addition, a rear side (111) of the carrier wafer (110) is irradiated by means of light beams (150) in an infrared wavelength range, such that the bonding layer (100) on the front side of the carrier wafer (110) detaches from the light reflecting layer (120) at least partially over the entire surface. Then, a microelectromechanical component (140a, 140b), in particular a micromirror, is structured out of the further wafer (130).[French] L'invention concerne un procédé de production d'un composant microélectromécanique (140a, 140b). Une couche de liaison (100), en particulier une couche de liaison temporaire, est d'abord appliquée sur un côté avant d'une tranche de support (110). Ensuite, une couche de réflexion légère (120) est appliquée à la couche de liaison (100). Dans ce cas, la couche de liaison (100) et la couche de réflexion légère (120) sont reliées l'une à l'autre, en particulier temporairement. Ensuite, la couche de réflexion légère (120) est connectée à une plaque de miroir (135a, 135b) disposée sur ou dans une surface externe d'une autre tranche (130). De plus, un côté arrière (111) de la tranche de support (110) est irradié au moyen de faisceaux lumineux (150) dans une plage de longueurs d'onde infrarouges, de telle sorte que la couche de liaison (100) sur le côté avant de la tranche de support (110) se détache de la couche de réflexion légère (120) au moins partiellement sur toute la surface. Ensuite, un composant microélectromécanique (140a, 140b), en particulier un micromiroir, est structuré hors de l'autre tranche (130).

Rejoining the server...