WO2025202375 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SIC-EPITAXIESCHICHT AUF EINER ERSTEN MONOKRISTALLINEN SIC-SCHICHT UND VORRICHTUNG MIT EINER SIC-EPITAXIESCHICHT AUF EINER ERSTEN MONOKRISTALLINEN SIC-SCHICHT
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/202375
Publication Date
02.10.2025
International Application No.
PCT/EP2025/058429
International Filing Date
27.03.2025
Title **
[German]
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SIC-EPITAXIESCHICHT AUF EINER ERSTEN MONOKRISTALLINEN SIC-SCHICHT UND VORRICHTUNG MIT EINER SIC-EPITAXIESCHICHT AUF EINER ERSTEN MONOKRISTALLINEN SIC-SCHICHT
[English]
METHOD FOR PRODUCING AN SIC EPITAXIAL LAYER ON A FIRST MONOCRYSTALLINE SIC LAYER AND DEVICE HAVING AN SIC EPITAXIAL LAYER ON A FIRST MONOCRYSTALLINE SIC LAYER
[French]
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE DE SIC SUR UNE PREMIÈRE COUCHE DE SIC MONOCRISTALLIN ET DISPOSITIF COMPRENANT UNE COUCHE ÉPITAXIALE DE SIC SUR UNE PREMIÈRE COUCHE DE SIC MONOCRISTALLIN
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
HEYERS, Klaus
THOMAS, Bernd
SCHOSER, Siegmar
NUFER, Stefan
BARINGHAUS, Jens
Priority Data
102024202906.8
27.03.2024
DE
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
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| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
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International Searching Authority |
EPO
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| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1878 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8143 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2024 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1736 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
18,521
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Abstract[German]
Verfahren (100) zum Herstellen einer SiC-Epitaxieschicht auf einer ersten monokristallinen SiC-Schicht mit den Schritten Verändern (110) eines Kristallgitters der ersten monokristallinen SiC-Schicht in einer bestimmten Tiefe mittels Implantation von Wasserstoff, Aufbringen (120) der ersten monokristallinen SiC-Schicht auf ein Trägersubstrat mittels Bondings, und Erzeugen (140) einer SiC-Epitaxieschicht oberhalb der ersten monokristallinen SiC-Schicht.[English]
The invention relates to a method (100) for producing an SiC epitaxial layer on a first monocrystalline SiC layer, comprising the steps of: changing (110) a crystal lattice of the first monocrystalline SiC layer at a specific depth by implanting hydrogen; applying (120) the first monocrystalline SiC layer to a carrier substrate by means of bonding; and producing (140) an SiC epitaxial layer above the first monocrystalline SiC layer.[French]
L'invention concerne un procédé (100) de fabrication d'une couche épitaxiale de SiC sur une première couche de SiC monocristallin, comprenant les étapes consistant à modifier (110) un réseau cristallin de la première couche de SiC monocristallin à une profondeur déterminée par implantation d'hydrogène, appliquer (120) la première couche de SiC monocristallin sur un substrat de support par collage, et à produire (140) une couche épitaxiale de SiC au-dessus de la première couche de SiC monocristallin.