WO2025114193 - STEUERVORRICHTUNG FÜR HALBLEITERSCHALTER EINER WECHSELRICHTER-ENDSTUFE
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/114193
Publication Date
05.06.2025
International Application No.
PCT/EP2024/083406
International Filing Date
25.11.2024
Title **
[German]
STEUERVORRICHTUNG FÜR HALBLEITERSCHALTER EINER WECHSELRICHTER-ENDSTUFE
[English]
CONTROL DEVICE FOR SEMICONDUCTOR SWITCHES OF AN INVERTER OUTPUT STAGE
[French]
DISPOSITIF DE COMMANDE POUR DES COMMUTATEURS À SEMI-CONDUCTEURS D'UN ÉTAGE DE SORTIE D'ONDULEUR
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
GRAF, Marco
RICHTER, Tobias
LECHNER, Benjamin
ROSAHL, Thoralf
Priority Data
102023211760.6
27.11.2023
DE
Application details
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The Standard Agent's Assignment
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Legal Entity
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Chapter I
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1937 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8141 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2076 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1873 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
18,767
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Abstract[German]
Die Erfindung betrifft eine Steuervorrichtung (1) für Halbleiterschalter (4a,5a,4b,5b,4c,5c) einer Wechselrichter-Endstufe (2) mit einem Prozessor (12) und mit einer für jeden Halbleiterschalter (4a,5a,4b,5b,4c,5c) der Wechselrichter- Endstufe (2) jeweils vorgesehenen Treiberschaltung (6a,7a,6b,7b,6c,7c), wobei der Prozessor (12) dazu ausgelegt ist, Parameter eines Phasenstromes bei einem Schaltvorgang eines der Halbleiterschalter (4a,5a,4b,5b,4c,5c) der Wechselrichter-Endstufe (2) der zugehörigen Treiberschaltung (6a,7a,6b,7b,6c,7c) des Halbleiterschalters (4a,5a,4b,5b,4c,5c) über eine Kommunikationsschnittstelle (14,15) zu übermitteln, wobei die Treiberschaltung (6a,7a,6b,7b,6c,7c) des Halbleiterschalters (4a,5a,4b,5b,4c,5c) eine Berechnungseinheit (23) aufweist, welche dazu ausgelegt ist, in Abhängigkeit der von dem Prozessor (12) übermittelten Parameter den aktuellen sinusförmigen Phasenstromverlauf des Phasenstromes für den Schaltvorgang des Halbleiterschalters (4a,5a,4b,5b,4c,5c) zu berechnen, und wobei die Treiberschaltung (6a,7a,6b,7b,6c,7c) des Halbleiterschalters (4a,5a,4b,5b,4c,5c) einen Stromprofilspeicher (25) aufweist, welcher dazu ausgelegt ist, in Abhängigkeit von dem durch die Berechnungseinheit (23) der Treiberschaltung (6a,7a,6b,7b,6c,7c) berechneten sinusförmigen Phasenstromverlauf des Phasenstromes und/oder in Abhängigkeit einer Spannung und/oder in Abhängigkeit einer Temperatur ein darin gespeichertes Stromprofil auszuwählen und der Treiberschaltung (6a,7a,6b,7b,6c,7c) des Halbleiterschalters (4a,5a,4b,5b,4c,5c) zur Durchführung des Schaltvorganges bei dem Halbleiterschalter (4a,5a,4b,5b,4c,5c) bereitzustellen.[English]
The invention relates to a control device (1) for semiconductor switches (4a,5a,4b,5b,4c,5c) of an inverter output stage (2), comprising a processor (12) and a respective driver circuit (6a,7a,6b,7b,6c,7c) provided for each semiconductor switch (4a,5a,4b,5b,4c,5c) of the inverter output stage (2), wherein the processor (12) is designed to transmit parameters of a phase current during a switching process of one of the semiconductor switches (4a,5a,4b,5b,4c,5c) of the inverter output stage (2) to the corresponding driver circuit (6a,7a,6b,7b,6c,7c) of the semiconductor switch (4a,5a,4b,5b,4c,5c) via a communication interface (14,15), and the driver circuit (6a,7a,6b,7b,6c,7c) of the semiconductor switch (4a,5a,4b,5b,4c,5c) has a computing unit (23) which is designed to compute the present sinusoidal curve of the phase current for the switching process of the semiconductor switch (4a,5a,4b,5b,4c,5c) on the basis of the parameters transmitted by the processor (12). The driver circuit (6a,7a,6b,7b,6c,7c) of the semiconductor switch (4a,5a,4b,5b,4c,5c) has a current profile storage device (25) that is designed to select a current profile, which is stored in the storage device, on the basis of the sinusoidal phase current curve computed by the computing unit (23) of the driver circuit (6a,7a,6b,7b,6c,7c) and/or on the basis of a voltage and/or on the basis of a temperature and provide same to the driver circuit (6a,7a,6b,7b,6c,7c) of the semiconductor switch (4a,5a,4b,5b,4c,5c) in order to carry out the switching process in the semiconductor switch (4a,5a,4b,5b,4c,5c).[French]
L'invention concerne un dispositif de commande (1) pour des commutateurs à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c) d'un étage de sortie d'onduleur (2), comprenant un processeur (12) et un circuit d'attaque respectif (6a, 7a, 6b, 7b, 6c, 7c) fourni pour chaque commutateur à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c) de l'étage de sortie d'onduleur (2), le processeur (12) étant conçu pour transmettre des paramètres d'un courant de phase pendant un processus de commutation de l'un des commutateurs à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c) de l'étage de sortie d'onduleur (2) au circuit d'attaque correspondant (6a, 7a, 6b, 7b, 6c, 7c) du commutateur à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c) par le biais d'une interface de communication (14, 15), et le circuit d'attaque (6a, 7a, 6b, 7b, 6c, 7c) du commutateur à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c) présentant une unité de calcul (23) qui est conçue pour calculer l'actuelle courbe sinusoïdale du courant de phase pour le processus de commutation du commutateur à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c) sur la base des paramètres transmis par le processeur (12). Le circuit d'attaque (6a, 7a, 6b, 7b, 6c, 7c) du commutateur à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c) présente un dispositif de stockage de profil de courant (25) qui est conçu pour sélectionner un profil de courant, qui est stocké dans le dispositif de stockage, sur la base de la courbe de courant de phase sinusoïdale calculée par l'unité de calcul (23) du circuit d'attaque (6a, 7a, 6b, 7b, 6c, 7c) et/ou sur la base d'une tension et/ou sur la base d'une température et pour fournir ce dernier au circuit d'attaque (6a, 7a, 6b, 7b, 6c, 7c) du commutateur à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c) afin de mettre en œuvre le processus de commutation dans le commutateur à semi-conducteurs (4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c).