WO2025093186 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES WAFERS MIT EINEM ABSTANDSHALTER
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/093186
Publication Date
08.05.2025
International Application No.
PCT/EP2024/075959
International Filing Date
17.09.2024
Title **
[German]
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES WAFERS MIT EINEM ABSTANDSHALTER
[English]
METHOD FOR PRODUCING A WAFER HAVING A SPACER
[French]
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE TRANCHE AYANT UN ESPACEUR
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
TOMASCHKO, Jochen
PRITSCHOW, Marcus
SCHULER, Raphael
Priority Data
102023210920.4
03.11.2023
DE
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
| * | |
| Number of Office Actions | * |
| * | |
International Searching Authority |
EPO
* |
| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
* |
| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
* |
| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
* |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| Entry into National Phase under |
Chapter I
* |
| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
* |
| Translation |
|
* The data is based on automatic recognition. Please verify and amend if necessary.
** IP-Coster compiles data from publicly available sources. If this data includes your personal information, you can contact us to request its removal.
Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1947 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8131 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2068 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1871 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
18,757
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Contact Us
Abstract[German]
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Wafers (100) mit einem Abstandshalter (150) zum Schutz einer zu schützenden Oberfläche (110) mit einem Bereitstellen eines gekoppelten Wafers (101) umfassend einen SOI-Wafer (140) und einen mit diesem verbundenen Funktionswafer (120), wobei der SOI-Wafer (140) einen Handlewafer (146), eine Funktionsschicht (142) mit ersten Strukturen (143a, 143b) und eine zwischen Handlewafer (146) und Funktionsschicht (142) angeordnete Siliziumdioxidschicht (144) und der Funktionswafer (120) zweite Strukturen (120a, 120b) aufweist, und einem Erzeugen (340) des Abstandshalters (150) durch ein bereichsweises Entfernen des Handlewafers (146) und der Siliziumdioxidschicht (144), wodurch die zu schützende Oberfläche (110) freigelegt wird.[English]
The invention relates to a method for producing a wafer (100) having a spacer (150) in order to protect a surface (110) to be protected, having the steps of providing a coupled wafer (101) comprising an SOI wafer (140) and a functional wafer (120) connected thereto, wherein the SOI wafer (140) has a handle wafer (146), a functional layer (142) with first structures (143a, 143b), and a silicon dioxide layer (144) arranged between the handle wafer (146) and the functional layer (142), and the functional wafer (120) has second structures (120a, 120b); and producing (340) the spacer (150) by removing regions of the handle wafer (146) and the silicon dioxide layer (144), whereby the surface (110) to be protected is exposed.[French]
L'invention se rapporte à un procédé de production d'une tranche (100) ayant un espaceur (150) afin de protéger une surface (110) à protéger, comprenant les étapes consistant à fournir une tranche couplée (101) comprenant une tranche SOI (140) et une tranche fonctionnelle (120) connectée à celle-ci, la tranche SOI (140) ayant une tranche de poignée (146), une couche fonctionnelle (142) avec des premières structures (143a, 143b), et une couche de dioxyde de silicium (144) agencée entre la tranche de poignée (146) et la couche fonctionnelle (142), et la tranche fonctionnelle (120) ayant des secondes structures (120a, 120b) ; et produire (340) l'espaceur (150) par élimination de régions de la tranche de poignée (146) et de la couche de dioxyde de silicium (144), moyennant quoi la surface (110) à protéger est exposée.