WO2026138390 - METHOD FOR MANUFACTURING BACK-SIDE SE-STRUCTURED BATTERY
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2026/138390
Publication Date
02.07.2026
International Application No.
PCT/CN2025/139173
International Filing Date
02.12.2025
Title **
[English]
METHOD FOR MANUFACTURING BACK-SIDE SE-STRUCTURED BATTERY
[French]
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE BATTERIE À STRUCTURE SE SUR LA FACE ARRIÈRE
[Chinese]
一种背面SE结构电池的制作方法
Applicants **
CHANGZHOU SHICHUANG ENERGY CO., LTD
Inventors
REN, Changrui
ZHANG, Wenchao
FU, Liming
Priority Data
202411918791.6
25.12.2024
CN
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
| * | |
| Number of Office Actions | * |
| * | |
International Searching Authority |
CNIPA
* |
| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
* |
| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
* |
| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
* |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| Entry into National Phase under |
Chapter I
* |
| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
* |
| Translation |
|
* The data is based on automatic recognition. Please verify and amend if necessary.
** IP-Coster compiles data from publicly available sources. If this data includes your personal information, you can contact us to request its removal.
Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1580 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 11740 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2072 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1834 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
21,966
Contact Us
Abstract[English]
Provided in the present invention is a method for manufacturing a back-side SE-structured battery. In the method of the present invention, after a tunneling oxide layer and a poly layer are deposited on a back side, a method for forming a patterned mask is used to form a corresponding patterned POLO structure, the POLO structure is provided only in a metallization region, whereas a non-metallization region only consists of a silicon substrate and functional layers, thereby avoiding the problem of severe parasitic absorption of light caused by the poly layer in the non-metallization region. By using the method of the present invention, a PSG removal process can be integrated into a wrap-around removal process, and only an additional HF bath is required before the wrap-around removal process, thereby reducing the manufacturing cost.[French]
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une batterie à structure SE sur la face arrière. Dans le procédé de la présente invention, après le dépôt d'une couche d'oxyde tunnel et d'une couche de polysilicium sur une face arrière, un procédé de formation d'un masque à motifs est utilisé pour former une structure POLO à motifs correspondante, la structure POLO est située uniquement dans une région de métallisation, tandis qu'une région de non-métallisation est constituée uniquement d'un substrat de silicium et de couches fonctionnelles, ce qui permet d'éviter le problème d'absorption parasite grave de la lumière provoquée par la couche de polysilicium dans la région de non-métallisation. En utilisant le procédé de la présente invention, un processus d'élimination de PSG peut être intégré dans un processus d'élimination du recouvrement périphérique, et seul un bain HF supplémentaire est nécessaire avant le processus d'élimination du recouvrement périphérique, ce qui permet de réduire le coût de fabrication.[Chinese]
本发明提供了一种背面SE结构电池的制作方法，本发明方法在沉积背面的隧穿氧化层和poly层之后，采用形成图案化掩膜的方法形成相应的图案化POLO结构，仅在金属化区域具有POLO结构，而非金属化区域仅由硅衬底和功能层组成，从而避免了非金属化区域存在的poly层产生严重光寄生吸收的问题。采用本发明的方法，可以将去PSG工序集成在去绕镀工序中，只需要在去绕镀前增加HF槽，降低了制造成本。