WO2026092756 - MLED AND DISPLAY DEVICE COMPRISING SAME

National phase entry is expected:
Publication Number WO/2026/092756
Publication Date 07.05.2026
International Application No. PCT/CN2025/132408
International Filing Date 04.11.2025
Title **
[English] MLED AND DISPLAY DEVICE COMPRISING SAME
[French] MLED ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LA COMPRENANT
[Chinese] 一种微发光二极管及其显示装置
Applicants **
XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD.
Inventors
LEE, Chia-en
YE, Xueping
CAI, Wenbi
Priority Data
202411561697.X   04.11.2024   CN
Application details
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Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting1835
EPO Filing, Examination, Granting13676
Japan Filing, Examination, Granting2294
South Korea Filing, Examination, Granting2376
USA Filing, Examination, Granting4740
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Total: 24,921
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Abstract[English] Disclosed in the present invention are an mLED and a display device comprising same. The mLED has a semiconductor layer sequence, wherein the semiconductor layer sequence comprises a back side and a front side, and comprises a first-type semiconductor layer and a second-type semiconductor layer in sequence from the front side, and an active layer is located between the first-type semiconductor layer and the second-type semiconductor layer; the back side of the semiconductor layer sequence is provided with a recess, which passes through the second-type semiconductor layer and the active layer to expose the first-type semiconductor layer; the back side of the semiconductor layer sequence comprises a first mesa within the recess, a second mesa on the second-type semiconductor layer, and a recess sidewall located between the first mesa and the second mesa; and the back side of the semiconductor layer sequence is provided with a first metal electrode electrically connected to the first-type semiconductor layer and a second metal electrode electrically connected to the second-type semiconductor layer, the first metal electrode and the second metal electrode are configured to be bonded to an external power supply, and the chromium content of the first metal electrode is greater than that of the second metal electrode, thereby solving the problem of chromium in the second metal electrode being prone to migrating.[French] La présente invention concerne une mLED et un dispositif d'affichage la comprenant. La mLED comporte une séquence de couches semi-conductrices, la séquence de couches semi-conductrices comprenant un côté arrière et un côté avant, et comprenant une couche semi-conductrice d'un premier type et une couche semi-conductrice d'un second type en séquence à partir du côté avant, et une couche active étant située entre la couche semi-conductrice du premier type et la couche semi-conductrice du second type ; le côté arrière de la séquence de couches semi-conductrices étant pourvu d'un évidement, qui passe à travers la couche semi-conductrice du second type et la couche active pour faire apparaître la couche semi-conductrice du premier type ; le côté arrière de la séquence de couches semi-conductrices comprenant une première mesa à l'intérieur de l'évidement, une seconde mesa sur la couche semi-conductrice du second type, et une paroi latérale d'évidement située entre la première mesa et la seconde mesa ; et le côté arrière de la séquence de couches semi-conductrices étant pourvu d'une première électrode métallique connectée électriquement à la couche semi-conductrice du premier type et d'une seconde électrode métallique connectée électriquement à la couche semi-conductrice du second type, la première électrode métallique et la seconde électrode métallique étant configurées pour être connectées à une alimentation électrique externe, et la teneur en chrome de la première électrode métallique étant supérieure à celle de la seconde électrode métallique, ce qui permet de résoudre le problème qui est que le chrome présent dans la seconde électrode métallique est susceptible de migrer.[Chinese] 本发明公开了一种微发光二极管及其显示装置,具有半导体层序列,半导体层序列包括背侧和正侧,从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层,有源层位于两者之间,半导体层序列的背侧具有凹槽,凹槽贯穿第二类型半导体层、有源层,露出第一类型半导体层,半导体层序列的背侧包括有凹槽内的第一台面、第二类型半导体层上的第二台面和位于两者之间的凹槽侧壁,半导体层序列的背侧设置有与第一类型半导体层电连接的第一金属电极以及与第二类型半导体层电连接的第二金属电极,第一金属电极和第二金属电极用于与外部电源键合,第一金属电极的铬含量大于第二金属电极,解决第二金属电极的铬容易迁移的问题。

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