WO2026108265 - MEMORY AND ELECTRONIC DEVICE

National phase entry is expected:
Publication Number WO/2026/108265
Publication Date 28.05.2026
International Application No. PCT/CN2025/114926
International Filing Date 15.08.2025
Title **
[English] MEMORY AND ELECTRONIC DEVICE
[French] MÉMOIRE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
[Chinese] 存储器及电子设备
Applicants **
CXMT CORPORATION
Inventors
CAO, Kanyu
SONG, Zengchao
LI, Xiaojie
Priority Data
202411669379.5   20.11.2024   CN
Application details
Total Number of Claims/PCT *
Number of Independent Claims *
Number of Priorities *
Number of Multi-Dependent Claims *
Number of Drawings *
Pages for Publication *
Number of Pages with Drawings *
Pages of Specification *
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Number of Office Actions *
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International Searching Authority
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Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address
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Type of Assignment
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Applicant's Legal Status
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Entry into National Phase under
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Patent Delivery
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Translation

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Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting1864
EPO Filing, Examination, Granting14158
Japan Filing, Examination, Granting2325
South Korea Filing, Examination, Granting2454
USA Filing, Examination, Granting4740
MasterCard Visa
Total: 25,541
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Abstract[English] A memory and an electronic device. In the memory, one end of a horizontally extending word line is coupled to a plurality of first selection transistors, the plurality of first selection transistors share a first gate line, the plurality of first selection transistors are further coupled to vertically extending first conductive lines, and a plurality of first gate lines located at a same level are coupled to a first conductive step by means of a first conductive structure; the other end of the horizontally extending word line is coupled to a plurality of second selection transistors, the plurality of second selection transistors share a second gate line, a plurality of second gate lines located at a same level are coupled to a second conductive step through a second conductive structure, and the plurality of second selection transistors are further coupled to vertically extending second conductive lines. A plurality of word lines located at a same level correspond to a smaller number of conductive steps, which helps to reduce an occupied area; additionally, controlling a voltage in a word line by means of the plurality of first selection transistors and the plurality of second selection transistors helps to improve word line driving capability.[French] L'invention concerne une mémoire et un dispositif électronique. Dans la mémoire, une extrémité d'une ligne de mots s'étendant horizontalement est couplée à une pluralité de premiers transistors de sélection, la pluralité des premiers transistors de sélection partageant une première ligne de grille, la pluralité des premiers transistors de sélection étant en outre couplés à des premières lignes conductrices s'étendant verticalement, et une pluralité de premières lignes de grille se situant au même niveau étant couplées à un premier étage conducteur au moyen d'une première structure conductrice ; l'autre extrémité de la ligne de mots s'étendant horizontalement est couplée à une pluralité de seconds transistors de sélection, la pluralité des seconds transistors de sélection partageant une seconde ligne de grille, une pluralité de secondes lignes de grille se situant au même niveau étant couplées à un second étage conducteur par l'intermédiaire d'une seconde structure conductrice, et la pluralité des seconds transistors de sélection étant en outre couplés à des secondes lignes conductrices s'étendant verticalement. Une pluralité de lignes de mots se situant au même niveau correspondent à un nombre inférieur d'étages conducteurs, ce qui contribue à réduire une zone occupée ; de plus, la commande d'une tension dans une ligne de mots au moyen de la pluralité des premiers transistors de sélection et de la pluralité des seconds transistors de sélection contribue à améliorer la capacité de commande de ligne de mots.[Chinese] 一种存储器及电子设备。在该存储器中,水平延伸的字线的一端与多个第一选择晶体管耦接,该多个第一选择晶体管共用第一栅线,该多个第一选择晶体管还与垂直延伸的第一导线耦接,位于同一层级的多条第一栅线通过第一导电结构与第一导电台阶耦接;水平延伸的字线的另一端与多个第二选择晶体管耦接,该多个第二选择晶体管共用第二栅线,位于同一层级的多条第二栅线通过第二导电结构与第二导电台阶耦接,该多个第二选择晶体管还与垂直延伸的第二导线耦接。位于同一层级的多条字线对应数量较少的导电台阶,有助于减小占用面积;同时,通过多个第一选择晶体管和多个第二选择晶体管控制一条字线中的电压,有助于提高字线驱动能力。

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