IP-Coster | WO2026097995 | SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1836
EPO	Filing, Examination, Granting	13655
Japan	Filing, Examination, Granting	2298
South Korea	Filing, Examination, Granting	2376
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] A semiconductor structure and a manufacturing method therefor, and an electronic device. The semiconductor structure comprises: active pillars, which extend in a vertical direction; word lines, which extend in a first horizontal direction and are coupled to the active pillars to form transistors; and bit lines, which extend in a second horizontal direction and are coupled to the active pillars, the second horizontal direction intersecting the first horizontal direction, wherein each word line comprises a first electrically conductive pattern and a second electrically conductive pattern, the first electrically conductive pattern having first openings and second openings, which are alternately arranged in the first horizontal direction; the active pillars are located in the first openings; and the second electrically conductive patterns are located in the second openings, the resistivity of the second electrically conductive patterns being less than the resistivity of the first electrically conductive patterns. The semiconductor structure helps to reduce the resistance of the word lines and improve device performance.[French] L'invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de fabrication, et un dispositif électronique. La structure semi-conductrice comprend : des piliers actifs qui s'étendent dans une direction verticale ; des lignes de mots, qui s'étendent dans une première direction horizontale et sont couplées aux piliers actifs pour former des transistors ; et des lignes de bits, qui s'étendent dans une seconde direction horizontale et sont couplées aux piliers actifs, la seconde direction horizontale croisant la première direction horizontale, chaque ligne de mots comprenant un premier motif électriquement conducteur et un second motif électriquement conducteur, le premier motif électriquement conducteur comportant des premières ouvertures et des secondes ouvertures, qui sont agencées en alternance dans la première direction horizontale ; les piliers actifs sont situés dans les premières ouvertures ; et les seconds motifs électriquement conducteurs sont situés dans les secondes ouvertures, la résistivité des seconds motifs électriquement conducteurs étant inférieure à celle des premiers motifs électriquement conducteurs. Cette structure semi-conductrice contribue à réduire la résistance des lignes de mots et à améliorer les performances du dispositif.[Chinese] 一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括：有源柱，沿垂直方向延伸；字线，沿第一水平方向延伸，且与所述有源柱耦合以形成晶体管；位线，沿第二水平方向延伸，且与所述有源柱耦接，其中，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交；其中，所述字线包括第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案具有沿所述第一水平方向交替排布的第一开口和第二开口，所述有源柱位于所述第一开口中，所述第二导电图案位于所述第二开口中，所述第二导电图案的电阻率小于所述第一导电图案的电阻率。该半导体结构有助于减小字线电阻，改善器件性能。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026097995 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Quotation for National Phase entry

Contact Us