IP-Coster | WO2026032152 | THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SAME

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1748
EPO	Filing, Examination, Granting	12142
Japan	Filing, Examination, Granting	2203
South Korea	Filing, Examination, Granting	2187
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Embodiments of the present disclosure provide a three-dimensional semiconductor memory, comprising a substrate, a plurality of active layers arranged in an array on the substrate, a plurality of bit lines, and a shielding structure. Each of the plurality of bit lines is connected to one end of the corresponding active layer, and the plurality of bit lines extend in a second direction and are stacked on the substrate in a third direction. Each of a plurality of memory cells is connected to the other end of the corresponding active layer. The shielding structure comprises a main body portion and a plurality of shielding portions. The shielding portions extend in the second direction, the main body portion and the shielding portions are made of a conductive material, and the main body portion is electrically connected to the shielding portions. In the third direction, at least one shielding portion is arranged between adjacent bit lines. In the embodiments of the present disclosure, by forming the shielding portions between the stacked bit lines, the shielding portions are electrically connected to the main body portion, and are connected to a fixed potential terminal by means of the main body portion, reducing the parasitic capacitance between the bit lines.[French] Des modes de réalisation de la présente divulgation concernent une mémoire à semi-conducteur tridimensionnelle, comprenant un substrat, une pluralité de couches actives agencées en un réseau sur le substrat, une pluralité de lignes de bits, et une structure de blindage. Chacune de la pluralité de lignes de bits est connectée à une extrémité de la couche active correspondante, et la pluralité de lignes de bits s'étendent dans une deuxième direction et sont empilées sur le substrat dans une troisième direction. Chacune d'une pluralité de cellules de mémoire est connectée à l'autre extrémité de la couche active correspondante. La structure de blindage comprend une partie corps principal et une pluralité de parties de blindage. Les parties de blindage s'étendent dans la deuxième direction, la partie corps principal et les parties de blindage sont constituées d'un matériau conducteur, et la partie corps principal est électriquement connectée aux parties de blindage. Dans la troisième direction, au moins une partie de blindage est disposée entre des lignes de bits adjacentes. Dans les modes de réalisation de la présente divulgation, en formant les parties de blindage entre les lignes de bits empilées, les parties de blindage sont électriquement connectées à la partie corps principal, et sont connectées à une borne de potentiel fixe au moyen de la partie corps principal, réduisant la capacité parasite entre les lignes de bits.[Chinese] 本公开实施例提供一种三维半导体存储器，包括，衬底、位于衬底上呈阵列排布的多个有源层、多条位线，以及屏蔽结构。多条位线分别连接至有源层的一端，多条位线沿第二方向延伸，且沿第三方向堆叠在衬底上。多个存储单元分别连接至有源层的另一端。屏蔽结构包括主体部和多条屏蔽部。屏蔽部沿第二方向延伸，主体部和屏蔽部由导电材料构成，且主体部与屏蔽部电性连接。沿第三方向，相邻的位线之间至少设置有一条屏蔽部。本公开实施中，通过在堆叠的位线之间形成屏蔽部，屏蔽部电性连接至主体部，并通过主体部连接至固定电位端，降低位线之间的寄生电容。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026032152 - THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SAME

Quotation for National Phase entry

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