IP-Coster | WO2026045536 | ON-CHIP INTEGRATED OPTICAL MODULATOR AND PHOTONIC INTEGRATED CHIP

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1748
EPO	Filing, Examination, Granting	12123
Japan	Filing, Examination, Granting	2201
South Korea	Filing, Examination, Granting	2180
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] An on-chip integrated optical modulator and a photonic integrated chip. The optical modulator comprises a waveguide layer (510), a first dielectric layer (110), a second dielectric layer (120), modulation electrodes, a connection electrode (421), and conductive vias (80). The waveguide layer (510) is provided with a beam-splitting coupler, two modulator-arm waveguides (200, 300), and a beam-combining coupler. The two modulator-arm waveguides (200, 300) are each connected between the beam-splitting coupler and the beam-combining coupler. Signal electrodes (431, 432) and ground electrodes (433, 434, 435) among the modulation electrodes are provided on one side of the waveguide layer (510), and the connection electrode (421) located on the other side of the waveguide layer (510) is used to achieve interconnection between the ground electrodes (433, 434, 435). The interconnection between the ground electrodes (433, 434, 435) does not need to pass through the signal electrodes (431, 432) or transmission structures thereof. Thus, the ground electrodes (433, 434, 435) are interconnected such that the two modulator-arm waveguides (200, 300) of the optical modulator have the same bias voltage without compromising signal transmission performance, thereby improving the modulation speed and modulation bandwidth and enabling compatibility with semiconductor manufacturing processes.[French] L'invention concerne un modulateur optique intégré sur puce et une puce intégrée photonique. Le modulateur optique comprend une couche de guide d'ondes (510), une première couche diélectrique (110), une seconde couche diélectrique (120), des électrodes de modulation, une électrode de connexion (421) et des trous d'interconnexion conducteurs (80). La couche de guide d'ondes (510) est pourvue d'un coupleur de division de faisceau, de deux guides d'ondes à bras de modulateur (200, 300) et d'un coupleur de combinaison de faisceau. Les deux guides d'ondes à bras de modulateur (200, 300) sont chacun connectés entre le coupleur de division de faisceau et le coupleur de combinaison de faisceau. Des électrodes de signal (431, 432) et des électrodes de masse (433, 434, 435) parmi les électrodes de modulation sont disposées sur un côté de la couche de guide d'ondes (510), et l'électrode de connexion (421) située sur l'autre côté de la couche de guide d'ondes (510) est utilisée pour réaliser une interconnexion entre les électrodes de masse (433, 434, 435). L'interconnexion entre les électrodes de masse (433, 434, 435) n'a pas besoin de passer à travers les électrodes de signal (431, 432) ou des structures de transmission de celles-ci. Ainsi, les électrodes de masse (433, 434, 435) sont interconnectées de telle sorte que les deux guides d'ondes à bras de modulateur (200, 300) du modulateur optique ont la même tension de polarisation sans compromettre les performances de transmission de signal, ce qui permet d'améliorer la vitesse de modulation et la largeur de bande de modulation et de permettre une compatibilité avec des processus de fabrication de semi-conducteurs.[Chinese] 一种片上集成光调制器及光子集成芯片，光调制器包括波导层（510）、第一介电层（110）、第二介电层（120）、调制电极、连接电极（421）和导电过孔（80），波导层（510）设有分光耦合器、两个调制臂波导（200，300）和合光耦合器，两个调制臂波导（200，300）分别连接于分光耦合器与合光耦合器之间，调制电极的信号电极（431，432）及接地电极（433，434，435）设于波导层（510）的一侧，并利用位于波导层（510）另一侧的连接电极（421）实现各个接地电极（433，434，435）之间的互连。各个接地电极（433，434，435）的互连不需要穿过信号电极（431，432）及其传输结构，实现了各接地电极（433，434，435）互连以使得光调制器的两个调制臂波导（200，300）的偏压相同，同时不会破坏信号传输性能，提高了调制速率和调制带宽，能够兼容半导体制造工艺。

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Micro Entity, USA	*
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WO2026045536 - ON-CHIP INTEGRATED OPTICAL MODULATOR AND PHOTONIC INTEGRATED CHIP

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