IP-Coster | WO2026036846 | EDGE COUPLER AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1721
EPO	Filing, Examination, Granting	11584
Japan	Filing, Examination, Granting	2161
South Korea	Filing, Examination, Granting	2121
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] An edge coupler (1), comprising: a substrate (10); and a coupling end portion (100) and a spot size converter (200) which are located on the same surface of the substrate (10) and are connected to one another. The coupling end portion (100) comprises a first stack layer (20), a second stack layer (30), and a third stack layer (40) which are sequentially stacked on the substrate (10). The second stack layer (30) is a ridge-shaped structure or a strip-shaped structure. The refractive index of the first stack layer (20) is less than the refractive index of the second stack layer (30), and the refractive index of the third stack layer (40) is less than the refractive index of the second stack layer (30). The spot size converter (200) comprises a first waveguide core layer (240) and a cover layer disposed on the substrate (10). The first waveguide core layer (240) is located in the cover layer, so that a mode field in a silicon optical chip matches a mode field in an optical fiber, thereby achieving coupling at low insertion loss. Also provided is a preparation method for an edge coupler (1).[French] Coupleur de bord (1) comprenant : un substrat (10) ; et une partie d'extrémité de couplage (100) et un convertisseur de taille de point (200) qui sont situés sur la même surface du substrat (10) et qui sont reliés l'un à l'autre. La partie d'extrémité de couplage (100) comprend une première couche d'empilement (20), une deuxième couche d'empilement (30) et une troisième couche d'empilement (40) qui sont empilées séquentiellement sur le substrat (10). La seconde couche d'empilement (30) est une structure en forme de crête ou une structure en forme de bande. L'indice de réfraction de la première couche d'empilement (20) est inférieur à l'indice de réfraction de la deuxième couche d'empilement (30), et l'indice de réfraction de la troisième couche d'empilement (40) est inférieur à l'indice de réfraction de la deuxième couche d'empilement (30). Le convertisseur de taille de point (200) comprend une première couche centrale de guide d'ondes (240) et une couche de recouvrement disposée sur le substrat (10). La première couche centrale de guide d'ondes (240) est située dans la couche de recouvrement, de sorte qu'un champ de mode dans une puce optique en silicium correspond à un champ de mode dans une fibre optique, garantissant ainsi un couplage à faible perte d'insertion. Est également proposé un procédé de préparation d'un coupleur de bord (1).[Chinese] 一种边缘耦合器(1)，包括衬底(10)，以及位于衬底(10)同一表面且相连接的耦合端部(100)和模斑转换器(200)，耦合端部(100)包括依次层叠设置于衬底(10)上的第一叠层(20)、第二叠层(30)以及第三叠层(40)，第二叠层(30)为脊型结构或条型结构，第一叠层(20)的折射率小于第二叠层(30)的折射率，第三叠层(40)的折射率小于第二叠层(30)的折射率，模斑转换器(200)包括第一波导芯层(240)和设置于衬底(10)上的覆盖层，第一波导芯层(240)位于覆盖层中，从而使硅光芯片中的模场与光纤中的模场相匹配，以实现低插损的耦合。还提供了一种边缘耦合器(1)的制备方法。

Total Number of Claims/PCT	*
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Pages for Publication	*
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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

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