IP-Coster | WO2026036829 | SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1604
EPO	Filing, Examination, Granting	11611
Japan	Filing, Examination, Granting	2045
South Korea	Filing, Examination, Granting	1854
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] The present disclosure provides a semiconductor structure and a manufacturing method therefor. The semiconductor structure at least comprises: a bottom conductive layer and a blocking part, wherein the plane where the blocking part is located is located above the plane where the bottom conductive layer is located, and the projections of the blocking part and the bottom conductive layer in a vertical direction have an overlapping region; a three-dimensional structure, wherein the three-dimensional structure comprises a first part and a second part, the top surface of the blocking part is higher than the bottom surface of the second part and lower than or flush with the bottom surface of the first part, and the first part is at least partially located directly above the overlapping region; contact holes and a first conductive layer, wherein the plane where the first conductive layer is located is higher than the top surface of the three-dimensional structure, the contact holes are directly connected to the first conductive layer, the bottom conductive layer is electrically connected to the first conductive layer by means of the contact holes, and the contact holes are located at the side of the first part away from the second part; and a first isolation layer, wherein the first isolation layer is used for filling the region between each contact hole and the three-dimensional structure, and filling the region between different contact holes.[French] La présente divulgation concerne une structure semi-conductrice et son procédé de fabrication. La structure semi-conductrice comprend au moins : une couche conductrice inférieure et une partie de blocage, le plan où la partie de blocage est située étant situé au-dessus du plan où la couche conductrice inférieure est située, et les saillies de la partie de blocage et de la couche conductrice inférieure dans une direction verticale ayant une région de chevauchement ; une structure tridimensionnelle, la structure tridimensionnelle comprenant une première partie et une seconde partie, la surface supérieure de la partie de blocage étant plus haute que la surface inférieure de la seconde partie et plus basse ou affleurante à la surface inférieure de la première partie, et la première partie étant au moins partiellement située directement au-dessus de la région de chevauchement ; des trous de contact et une première couche conductrice, le plan où la première couche conductrice est située étant plus haut que la surface supérieure de la structure tridimensionnelle, les trous de contact étant directement connectés à la première couche conductrice, la couche conductrice inférieure étant électriquement connectée à la première couche conductrice au moyen des trous de contact, et les trous de contact étant situés sur le côté de la première partie à l'opposé de la seconde partie ; et une première couche d'isolation, la première couche d'isolation étant utilisée pour remplir la région entre chaque trou de contact et la structure tridimensionnelle, et remplir la région entre différents trous de contact.[Chinese] 本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构至少包括：底层导电层和格挡部，格挡部所在平面位于底层导电层所在平面上方，格挡部与底层导电层在竖直方向上的投影具有重叠区域；立体结构，立体结构包括第一部和第二部，格挡部的顶面高于第二部的底面且低于或平齐于第一部的底面，第一部至少部分位于重叠区域的正上方；接触孔和第一导电层，第一导电层所在平面高于立体结构的顶面，接触孔与第一导电层直接连接，底层导电层通过接触孔电连接第一导电层，接触孔位于第一部远离第二部的一侧；第一隔离层，第一隔离层用于填充接触孔与立体结构之间的区域以及填充不同接触孔之间的区域。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026036829 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Quotation for National Phase entry

Contact Us