IP-Coster | WO2026091432 | SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING SAME

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1773
EPO	Filing, Examination, Granting	11870
Japan	Filing, Examination, Granting	2150
South Korea	Filing, Examination, Granting	2042
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] A semiconductor structure and a method for forming same. The method for forming the semiconductor structure comprises: providing a substrate, wherein the substrate comprises a storage region and a boundary region that are adjacently arranged in sequence; forming an initial conductive layer on the substrate; patterning the initial conductive layer to form a plurality of initial bit line structures and an initial bit line contact layer, wherein the plurality of initial bit line structures extend in a first direction and are arranged at intervals in a second direction; forming an etching mask provided with a plurality of first openings; patterning the initial bit line structures and the initial bit line contact layer by using the etching mask as a mask, to form a plurality of bit line structures and a plurality of bit line contact pads; and forming a bit line isolation structure, wherein the bit line isolation structure comprises first isolation portions located between the bit line structures and second isolation portions located between the bit line contact pads, and a first width of the first isolation portions is greater than a second width of the second isolation portions. The above method for forming the semiconductor structure can improve the reliability of the semiconductor structure.[French] La présente invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de formation. Le procédé de formation de la structure semi-conductrice comprend : la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant une région de stockage et une région de limite qui sont agencées de manière adjacente en séquence ; la formation d'une couche conductrice initiale sur le substrat ; la réalisation de motifs sur la couche conductrice initiale pour former une pluralité de structures de lignes de bits initiales et une couche de contact de lignes de bits initiale, la pluralité de structures de lignes de bits initiales s'étendant dans une première direction et étant agencées à intervalles dans une seconde direction ; la formation d'un masque de gravure doté d'une pluralité de premières ouvertures ; la réalisation de motifs sur les structures de lignes de bits initiales et la couche de contact de lignes de bits initiale en se servant du masque de gravure comme masque, pour former une pluralité de structures de lignes de bits et une pluralité de plots de connexion de lignes de bits ; et la formation d'une structure d'isolation de lignes de bits, la structure d'isolation de lignes de bits comprenant des premières parties d'isolation situées entre les structures de lignes de bits et des secondes parties d'isolation situées entre les plots de connexion de lignes de bits, et une première largeur des premières parties d'isolation étant supérieure à une seconde largeur des secondes parties d'isolation. Le procédé ci-dessus permettant de former la structure semi-conductrice peut améliorer la fiabilité de la structure semi-conductrice.[Chinese] 一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供衬底，衬底包括依次邻接的存储区域和边界区域；在衬底上形成初始导电层；图形化初始导电层以形成多个初始位线结构和初始位线接触层，多个初始位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布；形成设有多个第一开口的刻蚀掩膜；以刻蚀掩膜为掩膜图形化初始位线结构和初始位线接触层，以形成多个位线结构和多个位线接触垫；形成位线隔离结构，位线隔离结构包括位于位线结构之间的第一隔离部以及位线接触垫之间的第二隔离部，第一隔离部的第一宽度大于第二隔离部的第二宽度。上述半导体结构的形成方法可以提高半导体结构的可靠性。

Total Number of Claims/PCT	*
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International Searching Authority	CNIPA *
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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026091432 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING SAME

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