IP-Coster | WO2026113167 | PREPARATION METHOD FOR TRENCH CAPACITOR, AND TRENCH CAPACITOR AND PACKAGE STRUCTURE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1864
EPO	Filing, Examination, Granting	14189
Japan	Filing, Examination, Granting	2326
South Korea	Filing, Examination, Granting	2442
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] A preparation method for a trench capacitor (100), and a trench capacitor (100) and a package structure. The method may at least comprise: providing a substrate (10), wherein the substrate (10) is provided with a first trench (201); forming a first electrode layer (401) in the first trench (201), wherein the first electrode layer (401) covers the first trench (201) and covers a surface of the substrate (10); forming a first dielectric layer (301), wherein the first dielectric layer (301) covers the first electrode layer (401); forming a second dielectric layer (302), wherein the second dielectric layer (302) at least covers the first dielectric layer (301) on the surface of the substrate (10), and the thickness of the second dielectric layer (302) is greater than the thickness of the first dielectric layer (301); forming a second electrode layer (402) on the second dielectric layer (302), wherein the second electrode layer (402) covers the second dielectric layer (302); and forming a third dielectric layer (303), wherein the remaining portion of the first trench (201) is filled with the third dielectric layer (303).[French] L'invention concerne un procédé de préparation d'un condensateur à tranchée (100), et un condensateur à tranchée (100) et une structure de boîtier. Le procédé peut au moins consister à : fournir un substrat (10), le substrat (10) étant pourvu d'une première tranchée (201) ; former une première couche d'électrode (401) dans la première tranchée (201), la première couche d'électrode (401) recouvrant la première tranchée (201) et recouvrant une surface du substrat (10) ; former une première couche diélectrique (301), la première couche diélectrique (301) recouvrant la première couche d'électrode (401) ; former une deuxième couche diélectrique (302), la deuxième couche diélectrique (302) recouvrant au moins la première couche diélectrique (301) sur la surface du substrat (10), et l'épaisseur de la deuxième couche diélectrique (302) étant supérieure à l'épaisseur de la première couche diélectrique (301) ; former une seconde couche d'électrode (402) sur la deuxième couche diélectrique (302), la seconde couche d'électrode (402) recouvrant la deuxième couche diélectrique (302) ; et former une troisième couche diélectrique (303), la partie restante de la première tranchée (201) étant remplie avec la troisième couche diélectrique (303).[Chinese] 一种沟槽电容(100)的制备方法、沟槽电容(100)及封装结构，方法至少可以包括：提供基底(10)，基底(10)具有第一沟槽(201)；在第一沟槽(201)中形成第一电极层(401)，第一电极层(401)覆盖第一沟槽(201)且覆盖基底(10)表面；形成第一介质层(301)，第一介质层(301)覆盖第一电极层(401)；形成第二介质层(302)，第二介质层(302)至少覆盖基底(10)表面的第一介质层(301)；第二介质层(302)的厚度大于第一介质层(301)的厚度；在第二介质层(302)上形成第二电极层(402)，第二电极层(402)覆盖第二介质层(302)；形成第三介质层(303)，第三介质层(303)填满剩余的第一沟槽(201)。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026113167 - PREPARATION METHOD FOR TRENCH CAPACITOR, AND TRENCH CAPACITOR AND PACKAGE STRUCTURE

Quotation for National Phase entry

Contact Us