IP-Coster | WO2026045186 | FERROELECTRIC MEMORY, THREE-DIMENSIONAL FERROELECTRIC MEMORY AND THREE-DIMENSIONAL FERROELECTRIC STORAGE APPARATUS

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1717
EPO	Filing, Examination, Granting	11565
Japan	Filing, Examination, Granting	2171
South Korea	Filing, Examination, Granting	2108
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] A ferroelectric memory, a three-dimensional ferroelectric memory and a three-dimensional ferroelectric memory apparatus. The ferroelectric memory comprises a first word line (103), a first bit line (101), a first transistor (102) and a first ferroelectric capacitor pair (106), wherein the first ferroelectric capacitor pair (106) comprises a first ferroelectric capacitor (104) and a second ferroelectric capacitor (105), and the first ferroelectric capacitor (104) and the second ferroelectric capacitor (105) extend in a first direction; and a control terminal of the first transistor (102) is connected to the first word line (103), a second terminal of the first transistor (102) is connected to the first bit line (101), and a first terminal of the first transistor (102) is connected to an upper electrode plate of the first ferroelectric capacitor pair (106). The first ferroelectric capacitor pair (106) is stacked on the first transistor (102), which can improve the storage density and increase the storage capacity of the ferroelectric memory; the first ferroelectric capacitor (104) and the second ferroelectric capacitor (105) extend in the first direction, and the storage capacities of the ferroelectric capacitors can be adjusted by adjusting the lengths in the first direction, which solves the problem of a sensing margin; moreover, a sufficient footprint is provided for the first transistor (102), which is conducive to optimizing the drive capability of the first transistor (102).[French] L'invention concerne une mémoire ferroélectrique, une mémoire ferroélectrique tridimensionnelle et un appareil de mémoire ferroélectrique tridimensionnelle. La mémoire ferroélectrique comprend une première ligne de mots (103), une première ligne de bits (101), un premier transistor (102) et une première paire de condensateurs ferroélectriques (106), la première paire de condensateurs ferroélectriques (106) comprenant un premier condensateur ferroélectrique (104) et un second condensateur ferroélectrique (105), et le premier condensateur ferroélectrique (104) et le second condensateur ferroélectrique (105) s'étendant dans une première direction ; et une borne de commande du premier transistor (102) est connectée à la première ligne de mots (103), une seconde borne du premier transistor (102) est connectée à la première ligne de bits (101), et une première borne du premier transistor (102) est connectée à une plaque d'électrode supérieure de la première paire de condensateurs ferroélectriques (106). La première paire de condensateurs ferroélectriques (106) est empilée sur le premier transistor (102), ce qui peut améliorer la densité de stockage et augmenter la capacité de stockage de la mémoire ferroélectrique ; le premier condensateur ferroélectrique (104) et le second condensateur ferroélectrique (105) s'étendent dans la première direction et les capacités de stockage des condensateurs ferroélectriques peuvent être ajustées par ajustement des longueurs dans la première direction, ce qui résout le problème d'une marge de détection ; en outre, une empreinte suffisante est fournie pour le premier transistor (102), ce qui permet d'optimiser la capacité d'attaque du premier transistor (102).[Chinese] 一种铁电存储器、三维铁电存储器及三维铁电存储装置，该铁电存储器包括第一字线（103）、第一位线（101）、第一晶体管（102）、第一铁电电容对（106）；第一铁电电容对（106）包括第一铁电电容（104）和第二铁电电容（105），第一铁电电容（104）和第二铁电电容（105）沿第一方向延伸；第一晶体管（102）的控制端与第一字线（103）连接，第一晶体管（102）的第二端与第一位线（101）连接，第一晶体管（102）的第一端与第一铁电电容对（106）的上电极板连接。第一铁电电容对（106）在第一晶体管（102）上堆叠，可以提升存储密度，提高铁电存储器的存储容量；第一铁电电容（104）和第二铁电电容（105）在第一方向上延伸，可以通过调整沿第一方向的长度来调节铁电电容的存储容量，解决了感知裕度问题，同时为第一晶体管（102）提供了足够的占地面积，有助于第一晶体管（102）的驱动能力优化。

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Micro Entity, USA	*
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WO2026045186 - FERROELECTRIC MEMORY, THREE-DIMENSIONAL FERROELECTRIC MEMORY AND THREE-DIMENSIONAL FERROELECTRIC STORAGE APPARATUS

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