IP-Coster | WO2025200885 | SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1864
EPO	Filing, Examination, Granting	14306
Japan	Filing, Examination, Granting	2356
South Korea	Filing, Examination, Granting	2407
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] The present invention relates to the technical field of semiconductors, and provides a semiconductor device and a manufacturing method for the semiconductor device. The semiconductor device comprises an epitaxial layer, a P-type ion implantation layer, an N-type ion implantation layer, a gate structure and a source structure. The manufacturing method comprises: forming the P-type ion implantation layer in the epitaxial layer; partially etching the P-type ion implantation layer to form a trench, a side wall area of the trench forming a cap layer structure; and then forming the N-type ion implantation layer in the P-type ion implantation layer, the N-type ion implantation layer being configured to be buried in the trench and to extend to the cap layer structure. Compared with the prior art, the present invention configures a first channel as a longitudinal conductive channel, so as to use the characteristic of high mobility of the longitudinal channel to increase turn-on current density in the case of a fixed size of unit cells, thereby achieving the purpose of improving performance. In addition, there is no need to use a trench type buried gate structure, achieving a simple process and being compatible with existing planar gate processes.[French] La présente invention se rapporte au domaine technique des semi-conducteurs et propose une structure semi-conductrice et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend une couche épitaxiale, une couche d'implantation d'ions de type P, une couche d'implantation d'ions de type N, une structure de grille et une structure de source. Le procédé de fabrication consiste à : former la couche d'implantation d'ions de type P dans la couche épitaxiale ; graver partiellement la couche d'implantation d'ions de type P pour former une tranchée, une zone de paroi latérale de la tranchée formant une structure de couche de recouvrement ; puis former la couche d'implantation d'ions de type N dans la couche d'implantation d'ions de type P, la couche d'implantation d'ions de type N étant conçue pour être enfouie dans la tranchée et pour s'étendre jusqu'à la structure de couche de recouvrement. Par rapport à l'état de la technique, la présente invention conçoit un premier canal comme canal conducteur longitudinal, de façon à utiliser la caractéristique de mobilité élevée du canal longitudinal pour augmenter la densité de courant d'activation lorsque la taille de cellules unitaires est fixe, ce qui permet d'améliorer les performances. De plus, il n'est pas nécessaire d'utiliser une structure de grille enfouie de type tranchée, ce qui permet d'obtenir un processus simple et compatible avec des processus de grille planaire existants.[Chinese] 本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括外延层、P型离子注入层、N型离子注入层、栅极结构和源极结构，在外延层中形成P型离子注入层，该P型离子注入层局部刻蚀形成有沟槽，且沟槽的侧壁区域形成了帽层结构，然后在P型离子注入层中形成N型离子注入层，且N型离子注入层被配置为埋设在沟槽内，并延伸至该帽层结构。相较于现有技术，本发明将第一沟道配置为纵向导电通道，能够运用纵向沟道迁移率较高的特性，在晶胞大小固定的情况下能够增加导通时的电流密度，从而达到性能提升的目的。同时无需采用沟槽式埋栅结构，工艺简单，可以兼容现有的平面栅工艺。

Total Number of Claims/PCT	*
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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2025200885 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Quotation for National Phase entry