IP-Coster | WO2026118036 | SEMICONDUCTOR DEVICE, RADIO FREQUENCY AMPLIFIER AND COMMUNICATION DEVICE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1646
EPO	Filing, Examination, Granting	11600
Japan	Filing, Examination, Granting	2181
South Korea	Filing, Examination, Granting	2015
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Disclosed in the present invention are a semiconductor device and the application thereof. The device comprises first to fourth nitride semiconductor layers sequentially arranged on a substrate, wherein the first nitride semiconductor layer contains a first element and a second element; the second nitride semiconductor layer contains the first element, the second element and a third element, with the concentration of the first element gradually decreasing and the concentration of the third element gradually increasing in a thickness direction; the thickness of the second nitride semiconductor layer is d2, the value of which is in the range of 5 nm to 50 nm; and the first element is aluminum, the second element is nitrogen, and the third element is gallium. By means of the present invention, the pressure strain generated between a third nitride semiconductor layer and a fourth nitride semiconductor layer can be effectively adjusted; moreover, by means of a matching relationship between a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer, the density of carriers is increased, and the recovery time thereof after being affected by a trapping center is shortened, thereby providing a resulting semiconductor device with advantages such as a faster current recovery speed.[French] La présente invention divulgue un dispositif à semi-conducteur et son application. Le dispositif comprend des première à quatrième couches semi-conductrices au nitrure agencées séquentiellement sur un substrat, la première couche semi-conductrice au nitrure contenant un premier élément et un deuxième élément ; la deuxième couche semi-conductrice au nitrure contenant le premier élément, le deuxième élément et un troisième élément, la concentration du premier élément diminuant progressivement et la concentration du troisième élément augmentant progressivement dans un sens d'épaisseur ; l'épaisseur de la deuxième couche semi-conductrice au nitrure est d2, dont la valeur est dans la plage de 5 nm à 50 nm ; et le premier élément est l'aluminium, le deuxième élément est l'azote, et le troisième élément est le gallium. Au moyen de la présente invention, la contrainte de pression générée entre une troisième couche semi-conductrice au nitrure et une quatrième couche semi-conductrice au nitrure peut être efficacement ajustée ; de plus, au moyen d'une relation de correspondance entre une première couche semi-conductrice au nitrure et une deuxième couche semi-conductrice au nitrure, la densité des porteurs est augmentée, et le temps de récupération associé après avoir été affecté par un centre de piégeage est raccourci, ce qui permet d'obtenir un dispositif à semi-conducteur résultant présentant des avantages tels qu'une vitesse de récupération de courant plus rapide.[Chinese] 本发明公开了一种半导体器件及其应用，该器件包括衬底上依次设置的第一至第四氮化物半导体层，其中第一氮化物半导体层包含第一、第二元素；第二氮化物半导体层包含第一至第三元素，沿着厚度方向第一元素的浓度递减，第三元素的浓度递增；第二氮化物半导体层的厚度为d2，d2的取值范围为5~50 nm；第一元素为铝元素，第二元素为氮元素、第三元素为镓元素，本发明能有效地调整第三氮化物半导体层与第四氮化物半导体层产生压力应变，同时通过第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层的匹配关系，对载流子密度提升及其受捕获中心影响后的恢复时间短，从而具备最终半导体器件的电流恢复速度恢复更快等优点。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026118036 - SEMICONDUCTOR DEVICE, RADIO FREQUENCY AMPLIFIER AND COMMUNICATION DEVICE

Quotation for National Phase entry

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