WO2026097390 - ACOUSTIC RESONATOR AND RADIO FREQUENCY FILTER COMPRISING THE SAME
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2026/097390
Publication Date
15.05.2026
International Application No.
PCT/CN2024/130686
International Filing Date
08.11.2024
Title **
[English]
ACOUSTIC RESONATOR AND RADIO FREQUENCY FILTER COMPRISING THE SAME
[French]
RÉSONATEUR ACOUSTIQUE ET FILTRE RADIOFRÉQUENCE LE COMPRENANT
Applicants **
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
Inventors
PLESSKI, Viktor
ZHANG, Naiqing
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1617 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 11629 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2141 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1963 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
22,090
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Abstract[English]
An acoustic resonator is provided, which ensures high piezoelectric coupling and exhibits reduced (e.g., compared to conventional XBARs) acoustic losses at (and around) a resonance frequency. The acoustic resonator comprises an interdigital transducer (IDT), the interleaved fingers of which are provided on or at least partly recessed into a piezoelectric layer. The IDT has a pitch of at least twice the total thickness of the piezoelectric layer. The piezoelectric layer is attached to a support structure and covers an open cavity formed in the latter such that the overlapping portions of the fingers are suspended over the cavity. The acoustic resonator is characterized in that the piezoelectric layer is made of a piezoelectric material having a crystallographic cut at which a lateral electric field produced between adjacent IDT fingers in response to applied RF potentials of periodically opposite polarity causes excitation of the SH1 mode in the piezoelectric layer.[French]
L'invention propose un résonateur acoustique qui assure un couplage piézoélectrique élevé et présente des pertes acoustiques réduites (par exemple, par comparaison avec des XBAR classiques) au niveau (et autour) d'une fréquence de résonance. Le résonateur acoustique comprend un transducteur interdigité (IDT), dont les doigts entrelacés sont disposés sur ou au moins partiellement en retrait dans une couche piézoélectrique. L'IDT présente un pas d'au moins deux fois l'épaisseur totale de la couche piézoélectrique. La couche piézoélectrique est fixée à une structure de support et recouvre une cavité ouverte formée dans cette dernière de sorte que les parties de chevauchement des doigts sont suspendues sur la cavité. Le résonateur acoustique est caractérisé en ce que la couche piézoélectrique est constituée d'un matériau piézoélectrique présentant une coupe cristallographique au niveau de laquelle un champ électrique latéral produit entre des doigts IDT adjacents en réponse à des potentiels RF appliqués de polarité périodiquement opposée provoque l'excitation du mode SH1 dans la couche piézoélectrique.