IP-Coster | WO2026065099 | POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1732
EPO	Filing, Examination, Granting	13136
Japan	Filing, Examination, Granting	2275
South Korea	Filing, Examination, Granting	2210
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Provided in the present invention is a power semiconductor device, for example, comprising: a substrate; an epitaxial layer, which is disposed on the substrate and is provided with a trench, the trench being recessed from the top surface of the epitaxial layer; a control electrode, which is disposed inside the trench; a first-conductivity-type doped region, which is disposed inside the epitaxial layer, wherein the trench is located between first-conductivity-type doped regions, and part of the first-conductivity-type doped region is located directly below the control electrode; a second-conductivity-type doped region, which is disposed inside the epitaxial layer, wherein the area the second-conductivity-type doped region occupies between the first-conductivity-type doped region and the trench is a stepped area, the stepped area extending from the top surface of the epitaxial layer toward the bottom surface, and part of the stepped area being located directly below the control electrode; an electrode layer, which is disposed on the side of the epitaxial layer away from the substrate and forms ohmic contact with each of the first-conductivity-type doped region and the second-conductivity-type doped region; and an insulating dielectric, which fills the trench and insulates the control electrode from the first-conductivity-type doped region, the second-conductivity-type doped region, the epitaxial layer and the electrode layer.[French] La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur de puissance, par exemple, comprenant : un substrat ; une couche épitaxiale, qui est disposée sur le substrat et est pourvue d'une tranchée, la tranchée étant en retrait par rapport à la surface supérieure de la couche épitaxiale ; une électrode de commande, qui est disposée à l'intérieur de la tranchée ; une région dopée de premier type de conductivité, qui est disposée à l'intérieur de la couche épitaxiale, la tranchée étant située entre des régions dopées de premier type de conductivité, et une partie de la région dopée de premier type de conductivité étant située directement au-dessous de l'électrode de commande ; une région dopée de second type de conductivité, qui est disposée à l'intérieur de la couche épitaxiale, la zone que la région dopée de second type de conductivité occupe entre la région dopée de premier type de conductivité et la tranchée étant une zone étagée, la zone étagée s'étendant de la surface supérieure de la couche épitaxiale vers la surface inférieure, et une partie de la zone étagée étant située directement au-dessous de l'électrode de commande ; une couche d'électrode, qui est disposée sur le côté de la couche épitaxiale à l'opposé du substrat et forme un contact ohmique avec chacune de la région dopée de premier type de conductivité et de la région dopée de second type de conductivité ; et un diélectrique isolant, qui remplit la tranchée et isole l'électrode de commande de la région dopée de premier type de conductivité, de la région dopée de second type de conductivité, de la couche épitaxiale et de la couche d'électrode.[Chinese] 本发明提供一种功率半导体器件，例如包括：衬底；外延层，设置在衬底上并设置有沟槽、且沟槽内凹于外延层的顶表面；控制电极，设置在沟槽内；第一导电类型掺杂区，设置在外延层内，沟槽位于第一导电类型掺杂区之间、且第一导电类型掺杂区的一部分位于控制电极的正下方；第二导电类型掺杂区，设置在外延层内并在第一导电类型掺杂区与沟槽之间占据的区域为台阶状区域，台阶状区域从外延层的顶表面朝向底表面延伸，且台阶状区域的一部分位于控制电极的正下方；电极层，设置在外延层的背离衬底的一侧并与第一及第二导电类型掺杂区分别形成欧姆接触；以及，绝缘介质，填充于沟槽并使控制电极分别与第一、第二导电类型掺杂区、外延层和电极层绝缘。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026065099 - POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

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