IP-Coster | WO2025241189 | ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DIODE AND ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING APPARATUS

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	2059
EPO	Filing, Examination, Granting	18766
Japan	Filing, Examination, Granting	2605
South Korea	Filing, Examination, Granting	2953
USA	Filing, Examination, Granting	6540

Abstract[English] The present invention relates to an ultraviolet light-emitting diode, which at least comprises an epitaxial structure, the epitaxial structure at least comprising a first semiconductor layer structure, an active layer and a second semiconductor layer structure which are successively stacked; the active layer is of a multi-quantum-well structure; the second semiconductor layer structure is a P-type doped layer, wherein a P-type dopant therein is diffused to the active layer from the second semiconductor layer structure, and a doping concentration curve is formed, the doping concentration curve of the P-type dopant forming at least two descending regions having different slopes in the direction from the second semiconductor layer structure to the first semiconductor layer structure. Controlling the slope of the descending regions and the distance from the inflection point of the two descending regions to a quantum well can effectively suppress diffusion of Mg atoms into the quantum wells, so as to reduce the impact of Mg atoms on the quantum wells and improve the quality of the quantum wells, thus effectively improving the optical degradation resistance of LED chips.[French] La présente invention concerne une diode électroluminescente ultraviolette, qui comprend au moins une structure épitaxiale, la structure épitaxiale comprenant au moins une première structure de couche semi-conductrice, une couche active et une seconde structure de couche semi-conductrice qui sont empilées successivement ; la couche active est d'une structure à puits quantiques multiples ; la seconde structure de couche semi-conductrice est une couche dopée de type P, un dopant de type P à l'intérieur de celle-ci étant diffusé vers la couche active à partir de la seconde structure de couche semi-conductrice, et une courbe de concentration de dopage étant formée, la courbe de concentration de dopage du dopant de type P formant au moins deux régions descendantes ayant des pentes différentes dans la direction allant de la seconde structure de couche semi-conductrice à la première structure de couche semi-conductrice. Le contrôle de la pente des régions descendantes et de la distance par rapport au point d'inflexion des deux régions descendant vers un puits quantique peut supprimer efficacement la diffusion d'atomes de Mg dans les puits quantiques, de façon à réduire l'impact des atomes de Mg sur les puits quantiques et à améliorer la qualité des puits quantiques, améliorant ainsi efficacement la résistance à la dégradation optique de puces de DEL.[Chinese] 本发明涉及一种紫外发光二极管，至少包括一外延结构，外延结构至少包括依次叠置的第一半导体层结构、有源层以及第二半导体层结构，有源层为多重量子阱结构，第二半导体层结构为P型掺杂层，其中的P型掺杂物自第二半导体层结构扩散至有源层，并且形成一掺杂浓度曲线，P型掺杂物的掺杂浓度曲线在第二半导体层结构至第一半导体层结构的方向上形成至少两段斜率不同的下降区。通过控制下降区的斜率和两段下降区的转折点到量子阱的距离，借此有效减少Mg原子扩散进入量子阱，降低Mg原子对量子阱的影响，提高量子阱的质量，从而有效提升LED芯片的抗光衰能力。

Total Number of Claims/PCT	*
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Number of Office Actions	*
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International Searching Authority	CNIPA *
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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2025241189 - ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DIODE AND ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING APPARATUS

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